英特爾Optane SSD性能各種秒殺NAND？

　　英特爾(Intel)終于發(fā)布了第一款采用3D XPoint內存的固態(tài)硬盤(SSD)，這款Optane固態(tài)硬盤預期能為此試圖在閃存與DRAM之間開創(chuàng)新市場的新一代內存技術，建立雖然小巧但意義重大的灘頭堡。

　　新款DC P4800X系列固態(tài)硬盤采用NVMe標準接口，一開始將提供375GB容量、零售價1，520美元的版本，約是目前類似NAND快閃記憶卡的三倍價格;該SSD號稱讀寫延遲低于20微秒(microsecond)，以及估計一天30次磁盤寫入的耐久度、長達三年的產品壽命。而在今年底之前，英特爾還將推出750GB與1.5TB、壽命估計可達五年的版本;該系列SSD都能以2.5吋的U.2接口以及擴充卡的規(guī)格供應。

　　英特爾的SSD性能號稱依據(jù)工作負載，能比各種NAND快閃磁盤高出2.5倍到77倍;該款產品在讀取速度上一般能輕松擊敗NAND SSD，但是非常依賴緩沖存儲器的寫入速度，兩者之間則是不相上下。新款SSD一開始的目標市場很廣泛，包括元數(shù)據(jù)(metadata)關鍵值搜尋、事務處理、登錄/日志(logging/ journaling)以及內存數(shù)據(jù)庫(in-memory database)。

　　同時英特爾將銷售能“騙”各種程序與操作系統(tǒng)將該款SSD當成主存儲器、替代或擴充DRAM的軟件。該公司一位發(fā)言人表示，Optane控制芯片支持7信道，而因為平穩(wěn)的芯片至信道下載(die-to-channel loading)而有最佳性能;第一版375 GB磁盤采用每信道4片媒介裸晶(media die)，即總數(shù)28片裸晶。

　　Optane能隨著工作負載增加而提供更快的寫入速度 (來源：英特爾)

　　Optane硬盤容量在用戶空間以外的某些部分，是專屬于錯誤糾正碼(ECC)、固件與元數(shù)據(jù)，以確保其達到媲美NAND固態(tài)硬盤的可靠度;不過英特爾發(fā)言人表示，Oprane并不支持NAND的過容量(overcapacity)，因為3D XPoint是一種位寫入(write-in-place)媒介，與NAND閃存的分散不同。

　　英特爾婉拒預測這款新型SSD的銷售量，不過期望英特爾與美光(Micron)在美國猶他州Lehi的合資晶圓廠在今年底之前的產能滿載;該廠負責生產Optane以及美光Quantx固態(tài)硬盤采用的3D XPoint內存芯片，目前每月生產不到1萬片的3D XPoint晶圓片。美光是在去年8月發(fā)表Quantx硬盤，到目前為止還未公布該產品規(guī)格、銷售價格或是上市確切日期，僅表示今年會出貨。

　　預期將會于服務器以及閃存磁盤陣列采用Optane的HPE (Hewlett Packard Enterprise)的儲存部門主管估計，這款新型SSD將占據(jù)該公司明年采購之SSD總數(shù)量的5～10%;而市場研究機構 Web-feet Research的儲存分析師Alan Niebel則估計，英特爾該產品在2017年的銷售金額約會在1億美元左右。

　　另一個變量是大型網(wǎng)絡數(shù)據(jù)中心業(yè)者是否會廣泛采用該款SSD;在一年前，F(xiàn)acebook對3D XPoint內存表示支持，并正在讓RocksDB軟件能對該內存提供支持，不過在今年的開放運算(Open Compute)會議上，F(xiàn)acebook的代表并沒有提供關于采用該種SSD的最新消息。

　　在Optane發(fā)表會上，英特爾引述了一位阿里巴巴(Alibaba)數(shù)據(jù)中心主管的證言，他對于重新架構該公司的搜索引擎以利用Optane固態(tài)硬盤感到十分熱衷;此外英特爾也將中國的騰訊(TenCent)、服務器大廠Dell EMC，以及聯(lián)想(Lenovo)列為Optane支持者。

　　Niebel表示，Optane的初始規(guī)格以及售價都在合理范圍，也符合業(yè)界預期;英特爾提供能讓用戶將之做為主存儲器的軟件，也為預計明年推出的3D XPoint DIMM板卡預先鋪路。

　　英特爾表示Optane針對數(shù)據(jù)中心常見的低隊列深度(low queue depths)進行了優(yōu)化 (來源：英特爾)

　　有少數(shù)新創(chuàng)公司開始推出采用磁性與電阻式RAM架構的替代方案，通常是鎖定更利基型的應用;現(xiàn)在為SanDisk母公司的Western Digital (WD)在去年8月時表示，該公司將于十年之內推出ReRAM。

　　被稱為“3D XPoint先生”的英特爾資深院士、內存技術開發(fā)總監(jiān)Al Fazio表示：“這是在旅程中非常重要的一天，不過只是開始;我們現(xiàn)在已經(jīng)開始提供DIMM樣品。”他表示，應用于DIMM的芯片需要不到50%的性能改善，應該是來自于良率的改善：“打造DIMM基礎架構是閘控(gating)而非媒介項目。”

　　Fazio表示，到目前為止3D XPoint技術的焦點都集中在材料科學，關鍵是找到并開發(fā)該芯片的正確材料組合，特別是選擇器二極管(selector diode)需要能在CMOS后段工藝的低溫之下運作。128Gb的首款3D XPoint內存在密度上完全超越DRAM，而且只落后NAND閃存一到兩個世代，不過英特爾與美光在2015年7月大張旗鼓發(fā)表3D XPoint之后，產品上市卻出現(xiàn)無預警延遲。

　　已退休的SanDisk創(chuàng)辦人暨閃存技術先鋒Eli Harari曾表示，新材料的功率與良率參數(shù)的特征化需要時間：“英特爾應該考慮將內存技術開放，并制造內存內處理器(processor-in-memory)芯片。”

　　英特爾的Fazio則表示，不同于部分競爭技術，3D XPoint并非被設計為嵌入式內存使用：“這種內存的架構是高容量、低延遲以及低成本。”英特爾的非揮發(fā)性內存事業(yè)群總經(jīng)理Rob Crooke總結指出：“這里有數(shù)十億美元的商機，而我們愿意為了掌握商機而投資。”