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2億美元 廈門聯(lián)芯28nm獲授權Q2量產(chǎn)

作者: 時間:2017-03-23 來源:集微網(wǎng) 收藏

  聯(lián)電昨日公告,獲準技術授權 28 納米技術予廈門的十二吋合資晶圓廠——聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司,技術授權金額 2 億美元。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201703/345607.htm

  聯(lián)電表示,聯(lián)芯將盡快導入 28 納米制程,預計第二季度進入量產(chǎn),將搶攻大陸手機芯片市場,預計至今年底月產(chǎn)能將擴增至 1.6 萬片規(guī)模。至于 2 億美元技術授權金,聯(lián)電指出,將依進度認列,只因與聯(lián)芯為母子公司關系,對損益無影響,僅有現(xiàn)金收入。

  今年2月,聯(lián)電自主研發(fā) 14 納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程技術成功進入客戶芯片量產(chǎn)。依照臺灣對大陸“N-1”的投資限制,這意味著的晶圓制程可以推進至 28 納米,有機會贏得大陸日益增長的手機和網(wǎng)絡芯片代工市場。

  自 2015 年 3 月動工以來,聯(lián)電廈門 12 寸廠僅用 20 個月便開始量產(chǎn)客戶產(chǎn)品,且采用此晶圓廠 40 納米制程的通訊芯片產(chǎn)品良率已逾 99%,月產(chǎn)能達到 1.1 萬片規(guī)模。聯(lián)電廈門 12 寸廠預計 2017 年產(chǎn)能增至 5 萬片,先期導入 40/55 納米制程,主攻大陸地區(qū)中低端手機芯片、面板驅(qū)動IC,以及物聯(lián)網(wǎng)應用相關的嵌入式快閃存儲器、嵌入非揮發(fā)性存儲器等。

  聯(lián)電選擇在廈門設立晶圓廠,主要著眼于廈門地理位置鄰近臺灣,文化、語言和氣候都相當類似,可獲得臺灣聯(lián)電總部的無縫支持等。此外,廈門具備健全完善的基礎建設,可提供豐富的工程人才資源與各項后勤支持。

  聯(lián)華電子在大陸已有位于蘇州的和艦八吋晶圓廠,聯(lián)電目前與和艦共持有聯(lián)芯 50% 股權,聯(lián)芯的設立將可為全球客戶提供更完備的晶圓專工服務。



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