臺(tái)積電公開回復(fù)：東芝競(jìng)標(biāo)案和3nm廠選址

　　臺(tái)積電13日的法說(shuō)會(huì)中，針對(duì)近期兩大熱門議題：日本半導(dǎo)體大廠東芝NAND Flash部門競(jìng)標(biāo)案、先進(jìn)制程3奈米晶圓廠的選址，一一對(duì)外界做最新的回覆。

　　自從臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀公開表示，考慮參與日本半導(dǎo)體大廠東芝(Toshiba)競(jìng)標(biāo)案后，臺(tái)積電對(duì)該案的態(tài)度備受市場(chǎng)關(guān)注，尤其參與競(jìng)標(biāo)者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。

　　臺(tái)積電13日指出，內(nèi)部確實(shí)評(píng)估過(guò)該案，但最后決定不去參與競(jìng)標(biāo)，主要是兩大原因，第一，內(nèi)部認(rèn)為這種標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是認(rèn)為這樣做并沒(méi)有太多綜效，因此，臺(tái)積電沒(méi)有參與，且強(qiáng)調(diào)假使臺(tái)積電參與其中，也會(huì)自己去競(jìng)標(biāo)，不會(huì)是呼朋引伴的景象，間接否認(rèn)和鴻海一同競(jìng)標(biāo)的猜測(cè)是不正確的。

　　針對(duì)記憶體技術(shù)的布局，臺(tái)積電表示，對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)型獨(dú)立式的記憶體晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并沒(méi)有興趣，但是對(duì)于嵌入式記憶體技術(shù)的布局，則是下了很大功夫。

　　臺(tái)積電目前是全球最大的嵌入式記憶體技術(shù)提供者，用在邏輯制程平臺(tái)上，做晶圓代工，像是新式記憶體技術(shù)如ReRAM、MRAM等，臺(tái)積電都有這些嵌入式記憶體技術(shù)，且因?yàn)?8奈米以下，傳統(tǒng)的嵌入式記憶體技術(shù)會(huì)有瓶頸，MRAM是很好接棒的技術(shù)人選，臺(tái)積電已經(jīng)在提供該技術(shù)使用在邏輯制程上了!

　　針對(duì)另一個(gè)熱門議題，也就是臺(tái)積電3奈米制程的選址案，因?yàn)橹皞鞒雠_(tái)積電基于穩(wěn)定和充足的水、電供應(yīng)考量，有意到美國(guó)設(shè)立3奈米制程晶圓廠。

　　臺(tái)積電指出，延續(xù)之前董事長(zhǎng)張忠謀說(shuō)法，不排除任何可能性，但在美國(guó)設(shè)晶圓廠并不是最理想的選擇，希望有更多地點(diǎn)可以選。