標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存激戰(zhàn)！臺積電/三星/英特爾誰說了算？

　　據(jù)韓媒報導(dǎo)，傳三星電子 (Samsung Electronics) 已在磁阻式隨機存取內(nèi)存 (MRAM) 取得重大進(jìn)展，市場估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上，三星電子將會發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內(nèi)存。

　　由于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限，目前全球半導(dǎo)體巨擘皆正大舉發(fā)展次世代內(nèi)存“磁電阻式隨機存取內(nèi)存 (MRAM)”，與含 3D XPoint 技術(shù)的“相變化內(nèi)存 (PRAM)”及“電阻式動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (RRAM)”。

　　上述三類次世代內(nèi)存皆具有非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，兼具高效能及低耗電之特性，估計這類次世代內(nèi)存處理速度，將比一般閃存內(nèi)存還要快上十萬倍。

　　目前三星電子正大力發(fā)展 MRAM 內(nèi)存，而另一半導(dǎo)體巨擘英特爾 (INTC-US) 則是強攻含3D XPoint 技術(shù)的 PRAM 型內(nèi)存。

　　全球最大半導(dǎo)體代工廠臺積電亦曾在4 月13 日對外說明，臺積電絕對不會踏入標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存領(lǐng)域，因為臺積電目前已具備“量產(chǎn)”MRAM 及電阻式動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (RRAM) 等新型內(nèi)存之技術(shù)。

　　據(jù)韓國半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露，全球半導(dǎo)體巨擘正在次世代內(nèi)存市場內(nèi)強力競爭，這很可能將全面改變半導(dǎo)體市場的發(fā)展前景，并成為未來半導(dǎo)體代工的主要業(yè)務(wù)之一。

　　《韓國經(jīng)濟(jì)日報》表示，磁電阻式隨機存取內(nèi)存 (MRAM)、相變化內(nèi)存 (PRAM)、電阻式動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (RRAM) 等三大次世代內(nèi)存中，又以 MRAM 的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內(nèi)存類型。

　　據(jù)了解，目前歐洲最大半導(dǎo)體商恩智浦半導(dǎo)體 (NXPI-US) 已經(jīng)決定采用三星電子的 MRAM 內(nèi)存，以應(yīng)用在相關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。