閃速存儲(chǔ)器芯片AT29系列的典型應(yīng)用
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多年來，單片機(jī)系統(tǒng)都使用SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器。而存儲(chǔ)器在電源關(guān)閉時(shí)的數(shù)據(jù)是否能夠保持是令用戶和生產(chǎn)廠家都感興趣的問題?，F(xiàn)代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)已進(jìn)入納米級(jí)容積和納秒級(jí)速度階段，各種規(guī)格的存儲(chǔ)器也相繼出現(xiàn)。AT29系列芯片是一種與通用的SRAM如6264、62256等在芯片引腳、讀出與接口方法上都完全兼容的存儲(chǔ)器，而且寫、擦數(shù)據(jù)可編程。本文描述了AT29C010的編程（寫）操作方法。
AT29系列的編程是一個(gè)簡單的可重復(fù)的過程。將每種芯片的總存儲(chǔ)量劃分成為數(shù)個(gè)存儲(chǔ)陣列（扇區(qū)），每次編程一個(gè)扇區(qū)，不同型號(hào)存儲(chǔ)器的扇區(qū)容量和扇區(qū)數(shù)不相同，其標(biāo)識(shí)也就不同。AT29C系列在單電源5V或3V時(shí)的編程時(shí)間分別為10ms或20ms。其中AT29C系列中的AT29C256共含有512個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)為64字節(jié)；AT29C040含有1024個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)各為512字節(jié)。如果在準(zhǔn)備好數(shù)據(jù)和扇區(qū)號(hào)的情況下，所有AT29系列的編程可使用同一個(gè)算法，而僅需三條LOAD命令，稱為“寫保護(hù)數(shù)據(jù)”（SDP）。在三條命令之后是編程寫入等待時(shí)間（Twc）。寫數(shù)據(jù)保護(hù)手段可用于訪問廠家標(biāo)識(shí)、芯片標(biāo)識(shí)、寫數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)等操作，而只有讀數(shù)據(jù)操作不必事先進(jìn)行“寫數(shù)據(jù)保護(hù)”。三條LOAD命令按操作不同而略有區(qū)別。如訪問芯片標(biāo)識(shí)裝入‘90H’和‘F0H’，寫數(shù)據(jù)到指定扇區(qū)則為‘A0H’，而擦除操作則為‘80H’和‘10H’。三條LOAD命令的流程如圖1所示。圖中括號(hào)內(nèi)為DATA總線上的數(shù)據(jù)，箭頭右邊是AT29的芯片地址。AT29C010系統(tǒng)寫數(shù)據(jù)保護(hù)的運(yùn)行時(shí)序如圖2所示。
2 AT29C010的性能特點(diǎn)
AT29C010具有低功耗、可重復(fù)編程、存儲(chǔ)容量大以及可進(jìn)行數(shù)據(jù)保護(hù)等功能和特點(diǎn)。它的動(dòng)態(tài)工作電流為50mA。同時(shí)具有CMOS保持狀態(tài)，此狀態(tài)下的電流為100μA。其每扇區(qū)可重復(fù)編程和擦除次數(shù)大于1萬次，寫定時(shí)周期為10ms，讀出時(shí)間達(dá)70ns，AT29C010的存儲(chǔ)容量為1兆位（128×8）存儲(chǔ)單元、1024個(gè)128字節(jié)扇區(qū)，同時(shí)還帶有內(nèi)部可控制定時(shí)器和兩個(gè)8k字節(jié)塊封鎖，以及軟件數(shù)據(jù)保護(hù)和編程結(jié)束檢驗(yàn)功能。所有AT29系列芯片的出廠標(biāo)識(shí)均為1FH。表1列出了AT29C系列芯片在采用單5V電源時(shí)的性能比較。
以AT89C51為核心的單片機(jī)系統(tǒng)一般都連接有SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，而利用AT29C010可在關(guān)閉電源前將數(shù)據(jù)保存起來。圖3所示是AT89C51和AT29C010的接口電路，其中的地址范圍分別為：
由于Write＿Sector匯編程序先要執(zhí)行“寫數(shù)據(jù)保護(hù)”命令，因此，A0～A2的地址線分別由AT89C51的P0、P2提供，A13～A16則由P1的低4位提供。在寫操作中，讀信號(hào)始終為HIGH高電平。下列延時(shí)程序中的delay 10ms假設(shè)為已知。具體程序如下：
b lock—number EQU08h；扇區(qū)高端地址A13～A16
的內(nèi)容
s ector—size EQU7Fh；數(shù)據(jù)長度0～127 
評(píng)論