AM30LV0064D在單片機系統(tǒng)中的典型應(yīng)用

　　1 概述

　　AM30LV0064D是AMD公司生產(chǎn)的一種新型非易失性閃速存儲器?；蚍牵∟OR）結(jié)構(gòu)的FLASH具有高速的隨機存取功能，但成本較高；新的UltraNAND結(jié)構(gòu)的FLASH相對于NOR結(jié)構(gòu)的FLASH，具有價格低，容量特別大的優(yōu)勢，支持對存儲器高速地連續(xù)存取。諞芯片工作電壓范圍在2.7～3.6V，特別適用于需要批量存儲大量代碼或數(shù)據(jù)的語音、圖形、圖像處理場合，在便攜式移動存儲和移動多媒體系統(tǒng)中應(yīng)用前景廣闊。

　　2 工作原理與命令字設(shè)置

　　AM30LV0064D采用與工業(yè)級NAND結(jié)構(gòu)兼容的UltraNAND結(jié)構(gòu)，內(nèi)部包含1024個存儲塊（單元容量為8K字節(jié)+256字節(jié)緩存)；存儲塊中的數(shù)據(jù)按頁存放，每頁可存儲512字節(jié)，還有16字節(jié)緩存用作與外部數(shù)據(jù)交換時的緩沖區(qū)，每塊共16頁。所以，主存儲區(qū)一共有16 384數(shù)據(jù)頁，相當(dāng)于64 Mbit的數(shù)據(jù)存儲器。

　　AM30LV0064D的主要引腳定義：

　　CE--片選使能輸入；

　　ALE--地址輸入使能；

　　CLE--命令字輸入使能；

　　SE--緩沖區(qū)使能輸入，低電平有效；

　　RE--讀使能輸入，低電平有效；

　　WE--寫使能輸入，低電平有效；

　　WP--寫保護輸入，低電平有效；

　　RY/BY--內(nèi)部空閑/忙信號輸出；

　　I/O7～0--8位數(shù)據(jù)輸入/輸出口；

　　VCC--3.3V核心電源；

　　VCCQ--I/O口電源；

　　VSS--地。

　　AM30LV0064D的讀、編程和擦寫等操作都可以在3.3V單電源供電狀態(tài)下進行，同時它提供的VCCQ引腳在接5V時，I/O口可兼容5V電平。AM30LV0064D支持對主存高速地連續(xù)存取和編程操作，連續(xù)讀取數(shù)據(jù)的時間可小于50ns/字節(jié)（隨機讀取數(shù)據(jù)的響應(yīng)時間為7μs，所以連續(xù)讀取時第一個數(shù)據(jù)的響應(yīng)時間也是7μs）；對FLASH的編程是以頁為單位的，步驟是先寫入數(shù)據(jù)，再執(zhí)行編程命令，編程速度為200μs/頁（平均約400ns/字節(jié)）；芯片擦除操作以存儲塊為單位，擦除其中某一塊對其它存儲塊的數(shù)據(jù)沒有影響，擦除時間2ms/存儲塊，而且還有延緩擦降/得擦除命令，允許用戶在必要時暫緩擦除操作，轉(zhuǎn)而處理對其它存儲塊進行數(shù)據(jù)讀、寫、編程等操作；此外，主機可以通過讀RY/BY引腳狀態(tài)的方法了解FLASH內(nèi)部操作是否已經(jīng)完成，RY/BY也可用于實現(xiàn)硬件判忙接口。AM30LV0064D還具有寫保護功能，這一功能通過將WP引腳設(shè)為低電平實現(xiàn)。