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協(xié)同創(chuàng)新 推動中國集成電路封測業(yè)發(fā)展

作者: 時間:2017-07-27 來源:芯思想 收藏

  2017年7月25日,中國半導體行業(yè)協(xié)會分會秘書長、國家產(chǎn)業(yè)鏈技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于燮康在《第十一屆中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件年會暨2017中國半導體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇》做了《協(xié)同創(chuàng)新,推動中國業(yè)發(fā)展》的主旨報告。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201707/362232.htm

 

協(xié)同創(chuàng)新 推動中國集成電路封測業(yè)發(fā)展

 

  于燮康秘書長的報告共分三部分內(nèi)容,第一部分回顧了中國集成電路業(yè)發(fā)展歷程;第二部分講述中國集成電路封測業(yè)的機遇和挑戰(zhàn);第三部分提出了未來中國集成電路封測業(yè)的發(fā)展途徑--協(xié)同創(chuàng)新。

  下面是根據(jù)于燮康秘書長演講內(nèi)容整理而成。

  一、中國集成電路封測業(yè)發(fā)展歷程

  中國集成電路封測業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要地位,在設計、芯片制造和封測三大產(chǎn)業(yè)中,封測業(yè)規(guī)模占比近年來一直高于國際上的普遍水平,2016年的占比達到36.1%。

  中國集成電路封測業(yè)起步較晚,大體經(jīng)歷了以下4個階段的發(fā)展過程:

  第一階段是初創(chuàng)階段,大致時間是二十世紀80年代,這時期以通孔插裝式封裝為主,主要代表技術是DIP(雙列直插封裝)。于秘書長介紹說,中國的集成電路封裝是華晶電子始于1978年。

  第二階段是重點發(fā)展階段,大致時間是二十世紀90年代,進入了表面貼裝時代,主要代表技術是SOP(小外形封裝)、QFP(四方扁平封裝),主要特點是引腳從兩邊或四邊引出,安裝方式改插裝為表面貼裝,較插裝方式可大大提高引腳數(shù)和組裝密度;這時期產(chǎn)業(yè)規(guī)??傮w較小。

  第三階段是全面快速發(fā)展階段,大致時間是二十一世紀初,在2006年之前,國內(nèi)封測業(yè)已開始研究以焊球代替引腳和面陣列形式分布的表面貼裝技術,主要代表技術是球柵陣列封裝BGA和多芯片封裝MCP等,在2006年至2010年期間,QFN、BGA、CSP等多項技術實現(xiàn)量產(chǎn),與之前相比,封裝技術有較大突破,產(chǎn)業(yè)規(guī)模已顯著擴大,長電科技于2009年初次躋身全球十大封測業(yè)之列。

  第四階段是2011年至今的跨越式發(fā)展階段,這一時期的技術特征是高密度和小型化,主要代表技術有晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)、倒裝球焊陣列封裝(FCBGA),特別是隨著芯片特征尺寸已接近物理極限,原依靠減小特征尺寸來提高封裝密度的方法遇到瓶頸的情況下,以3D封裝、2.5D硅通孔為代表的封裝技術應運而生,成為近年來封測業(yè)的一個技術亮點,總體技術水平與國際水平進一步縮小差距,部分封裝技術已處于國際領先水平。

  根據(jù)法國YOLE的研究數(shù)據(jù)表明,長電科技在先進封裝制程方面以7.8%的份額排名全球第三,僅次于英特爾和矽品精密。

  據(jù)封測聯(lián)盟提供的2010年-2016年中國集成電路封測業(yè)的銷售規(guī)模數(shù)據(jù)可以看出,中國集成電路封測產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展,自2011年起的6年,銷售收入比2010年增長了1.5倍,CAGR為16.39%。

  

協(xié)同創(chuàng)新 推動中國集成電路封測業(yè)發(fā)展

 

  于燮康秘書長表示,對國內(nèi)外先進封裝工藝技術水平比較而言,目前國內(nèi)集成電路三大先進封裝技術:SIP系統(tǒng)級封裝(長電、華天)、WLP晶園級封裝(長電、晶方)、FC倒裝(長電、通富)封裝技術均己具備并取得突破, 技術能力與國際先進水平基本接近,先進封裝占比約20%, 但國內(nèi)封裝業(yè)總體仍以傳統(tǒng)的中低端封裝為主,其封裝形式如SOP(SSOP、TSOP)、QFP(LQFP、TQFP)、QFN/DFN等。預計未來對高端先進封裝技術的需求將愈來愈多。

  

協(xié)同創(chuàng)新 推動中國集成電路封測業(yè)發(fā)展

 

  從封測聯(lián)盟公布的《中國集成電路封測產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展路線圖》可以看出,我國在封裝類型方面已經(jīng)非常齊全。

  從產(chǎn)業(yè)規(guī)模來看,多年來國內(nèi)封測產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度高于國際封測業(yè)整體發(fā)展的速度,但總體的封裝技術水平與國際水平還存在不小的差距。

  

協(xié)同創(chuàng)新 推動中國集成電路封測業(yè)發(fā)展

 

  晶圓級封裝(WLP)技術方面,國內(nèi)主要采用 Fan-in技術,主要量產(chǎn)WLCSP產(chǎn)品;剛開始Fan-out的小規(guī)模量產(chǎn),海外技術發(fā)展多樣化,F(xiàn)an-in、Fan-out、embedded WLP以及晶圓級3D堆疊封裝技術已經(jīng)成熟。

  倒裝(FC)技術方面,國內(nèi)企業(yè)全部是采用傳統(tǒng)的mass reflow技術。海外企業(yè)已經(jīng)量產(chǎn)TCB鍵合的FC封裝技術。國內(nèi)本土企業(yè)組裝芯片尺寸,還沒有超過20x20mm的芯片。國外企業(yè)在貼裝精度和穩(wěn)定性方面有優(yōu)勢,例如環(huán)球儀器對于倒裝芯片裝配的設備解決方案,兼顧了高速和高精度的特點。

  PoP封裝技術。目前國內(nèi)還沒有實現(xiàn)先進PoP封裝的量產(chǎn);部分外企在量產(chǎn)Bare Die的PoP封裝,海外已經(jīng)在采用先進的Substrate Interposer技術。

  TSV(2.5D/3D)技術。國內(nèi)TSV的應用主要是CMOS Image Sensor的封裝,屬于比較低端初級的TSV技術;高端TSV的應用,國內(nèi)企業(yè)正處于研發(fā)階段,國際上,臺積電、三星、日月光等國際大公司已具備10微米孔徑達到10:1的深寬比的能力。


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關鍵詞: 集成電路 封測

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