幾種IGBT驅動電路的保護電路原理圖

　　第一種驅動電路EXB841/840

　　EXB841工作原理如圖1,當EXB841的14腳和15腳有10mA的電流流過1us以后IGBT正常開通，VCE下降至3V左右，6腳電壓被鉗制在8V左右，由 于VS1穩(wěn)壓值是13V,所以不會被擊穿，V3不導通，E點的電位約為20V,二極管VD,截止，不影響V4和V5正常工作。

　　當14腳和15腳無電流流過，則V1和V2導通，V2的導通使V4截止、V5導通，IGBT柵極電荷通過V5迅速放電，引腳3電位下降至0V,是IGBT 柵一 射間承受5V左右的負偏壓，IGBT可靠關斷，同時VCE的迅速上升使引腳6“懸空”.C2的放電使得B點電位為0V,則V S1仍然不導通，后續(xù)電 路不動作，IGBT正常關斷。

　　如有過流發(fā)生，IGBT的V CE過大使得VD2截止，使得VS1擊穿，V3導通，C4通過R7放電，D點電位下降，從而使IGBT的柵一射間的電壓UGE降低 ,完成慢關斷，實現(xiàn)對IGBT的保護。由EXB841實現(xiàn)過流保護的過程可知，EXB841判定過電流的主要依據(jù)是6腳的電壓，6腳的電壓不僅與VCE 有關，還和二極管VD2的導通電壓Vd有關。

　　典型接線方法如圖2,使用時注意如下幾點：

　　a、 IGBT柵-射極驅動回路往返接線不能太長(一般應該小于1m)，并且應該采用雙絞線接法，防止干擾。

　　b、 由于IGBT集電極產(chǎn)生較大的電壓尖脈沖，增加IGBT柵極串聯(lián)電阻RG有利于其安全工作。但是柵極電阻RG不能太大也不能太小，如果 RG增大，則開通關斷時間延長，使得開通能耗增加;相反，如果RG太小，則使得di/dt增加，容易產(chǎn)生誤導通。

　　c、 圖中電容C用來吸收由電源連接阻抗引起的供電電壓變化，并不是電源的供電濾波電容，一般取值為47 F.

　　d、 6腳過電流保護取樣信號連接端，通過快恢復二極管接IGBT集電極。

　　e、 14、15接驅動信號，一般14腳接脈沖形成部分的地，15腳接輸入信號的正端，15端的輸入電流一般應該小于20mA,故在15腳前加限流 電阻。

　　f、 為了保證可靠的關斷與導通，在柵射極加穩(wěn)壓二極管。

　　第二種 M57959L/M57962L厚膜驅動電路

　　M57959L/M57962L厚膜驅動電路采用雙電源(+15V,-10V)供電，輸出負偏壓為-10V,輸入輸出電平與 TTL電平兼容，配有短路/過載保護和 封閉性短路保護功能，同時具有延時保護特性。其分別適合于驅動1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其 以下的 IGBT.M57959L/M57962L在驅動中小功率的IGBT時，驅動效果和各項性能表現(xiàn)優(yōu)良，但當其工作在高頻下時，其脈沖前后沿變的較差，即信 號的最大傳輸寬度受到限制。且厚膜內部采用印刷電路板設計，散熱不是很好，容易因過熱造成內部器件的燒毀。

　　日本三菱公司的M57959L集成IGBT專用驅動芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅動。其最高頻率也達40KHz,采用雙電源 供電(+15V和-15V)輸出電流峰值為±2A,M57959L有以下特點：

　　(1) 采用光耦實現(xiàn)電器隔離，光耦是快速型的，適合20KHz左右的高頻開關運行，光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻，可將5V電壓直接加到輸入 側。

　　(2) 如果采用雙電源驅動技術，輸出負柵壓比較高，電源電壓的極限值為+18V/-15V,一般取+15V/-10V.

　　(3) 信號傳輸延遲時間短，低電平-高電平的傳輸延時以及高電平-低電平的傳輸延時時間都在1.5μs以下。

　　(4) 具有過流保護功能。M57962L通過檢測IGBT的飽和壓降來判斷IGBT是否過流，一旦過流，M57962L就會將對IGBT實施軟關斷，并輸出過 流故障信號。

　　(5) M57959的內部結構如圖所示，這一電路的驅動部分與EXB系列相仿，但是過流保護方面有所不同。過流檢測仍采用電壓采樣，電路特 點是采用柵壓緩降，實現(xiàn)IGBT軟關斷，

　　避免了關斷中過電壓和大電流沖擊;另外，在關斷過程中，輸入控制信號的狀態(tài)失去作用，既保護關 斷是在封閉狀態(tài)中完成的。當保護開始時，立即送出故障信號，目的是切斷控制信號，包括電路中其它有源器件。

　　第三種 2SD315A集成驅動模塊

　　集成驅動模塊采用+15V單電源供電，內部集成有過流保護電路，其最大的特點是具有安全性、智能性與易用性。2SD315A能輸出很大的峰 值電流(最大瞬時輸出電流可達±15A)，具有很強的驅動能力和很高的隔離電壓能力(4000V)。2SD315A具有兩個驅動輸出通道，適合于驅 動等級為1200V/1700V極其以上的兩個單管或一個半橋式的雙單元大功率IGBT模塊。其中在作為半橋驅動器使用的時候，可以很方便地 設置死區(qū)時間。

　　2SD315A內部主要有三大功能模塊構成，分別是LDI(LogIC To Driver Interface,邏輯驅動轉換接口)、IGD(Intelligent Gate Driver,智能門極驅動)和輸入與輸出相互絕緣的DC/DC轉換器。當外部輸入PWM信號后，由LDI進行編碼處理，為保證信號不受外界條件的 干擾，處理過的信號在進入IGD前需用高頻隔離變壓器進行電氣隔離。從隔離變壓器另一側接收到的信號首先在IGD單元進行解碼，并把 解碼后的PWM信號進行放大(±15V/±15A)以驅動外接大功率IGBT.當智能門極驅動單元IGD內的過流和短路保護電路檢測到IGBT發(fā)生過 流和短路故障時，由封鎖時間邏輯電路和狀態(tài)確認電路產(chǎn)生相應的響應時間和封鎖時間，并把此時的狀態(tài)信號進行編碼送到邏輯控制單 元LDI.LDI單元對傳送來的IGBT工作狀態(tài)信號進行解碼處理，使之在控制回路中得以處理。為防止2SD315A的兩路輸出驅動信號相互干擾 ,由DC/DC轉換器提供彼此隔離的電源供電。

　　2SD315使用時注意事項：

　　a、工作模式

　　驅動模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源，輸入引腳RC1和RC2接地，為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V,信號輸入管腳InA、InB連 接在一起接收來自單片機的 脈沖信號。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳輸出通道的工作狀態(tài)。當MOD接地時，MOD接地。通常半橋模式都是驅動一個直流母線上的一個橋臂，為 避免上下橋臂直通必須設置死區(qū)時間，在死區(qū)時間里兩個 管子同時關斷。因此，RC 1, RC2端子必須根據(jù)要求外接RC網(wǎng)絡來產(chǎn)生死區(qū)時間，死區(qū)時間一般可以從100n,到幾個ms.圖中所示的RC 1, RC2分別連接lOk.的電阻和100pF的電容，這樣產(chǎn)生的死區(qū)時間大約是500ns.

　　b、端口VL/Reset

　　這個端子是用來定義具有施密特性質的輸入InA和InB的，使得輸入在2/3VL時開通，在I/3 VL時作為關斷信號。當PWM信號是TTL電平時， 該端子連接如圖3-5所示，當輸入InA和InB信號為15V的時候，該端子應該通過一個大約1K左右的電阻連接到++15V電源上，這樣開啟和關 斷電壓分別應該是lov和5V.另外，輸入UL/Reset端還有另外的功能：如果其接地，則邏輯驅動接口單元l.DI001內的錯誤信息被清除。

　　c、門極輸出端

　　門極輸出Gx端子接電力半導體的門極，當SCALE驅動器用15V供電的時候，門極輸出土15V.負的門極電壓由驅動器內部產(chǎn)生。使用如圖3-6 結構的電路可以實現(xiàn)開通和關斷的速度的不一樣，增加了用戶使用的靈活性。

　　d、布局和布線

　　驅動器應該盡可能近的和功率半導體放在一起，這樣從驅動器到電力晶體管的引線就會盡可能的短，一般來說驅動器的連線盡量不要長 過10厘米。同時一般要求到集電極和發(fā)射極的引線采用絞合線，還有可以在IGBT的門極和發(fā)射極之間連接一對齊納穩(wěn)壓二極管(15~18V) 來保護IGBT不會被擊穿。

　　驅動模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源，輸入引腳RC1和RC2接地，為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V,信號輸入管腳 InA、InB連 接在一起接收來自單片機的脈沖信號，進行同步控制。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳外接三極管和光耦用來向單片機輸出兩輸出通道的 工作狀態(tài)，其輸出端結構皆為集電極開路輸出，可以通過外接上拉電阻以適用于各種電平邏輯。在管腳SO1、SO2和電源之間，以及VisoX 和LSX之間加發(fā)光二極管進行故障指示。正常情況下SO1和SO2輸出皆為高電平，上電后D3和D4先亮，延時幾秒后熄滅，同時D8和D15發(fā)亮。

　　當檢測到故障信號時，SO1和SO2的輸出電平被拉低到地，即D3和D4發(fā)亮，同時D8和D15閃爍。2SD315A是通過監(jiān)測 UCE(sat)來判斷回路是否 短路和過流，當檢測到一路或兩路發(fā)生過流現(xiàn)象時，檢測電路會把異常狀態(tài)回饋到驅動模塊，驅動模塊內部會產(chǎn)生一個故障信號并將它 鎖存，鎖存時間為1s,在這段時間內，驅動模塊不再輸出信號，而是將兩組IGBT及時關斷予以保護。同時，狀態(tài)輸出管腳SO1和SO2的高電平 被拉低，光耦TLP521導通，兩路狀態(tài)信號通過或門74LS32送給單片機。為防止因關斷速度太快在IGBT的集電極上產(chǎn)生很高的反電動勢，在 門極輸出端采用如圖3.11所示的電路結構實現(xiàn)開通和關斷速度的不同。開通時門極電阻為3.4Ω，關斷時電阻為6.8Ω，二極管采用快恢 復型，這樣就使關斷速度下降到安全水平。這是一張縮略圖，點擊可放大。按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放。