ICCAD盛大開幕 華虹宏力“芯”動亮相

　　2017年11月16-17日，“中國集成電路設(shè)計業(yè)2017年會暨北京集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”(“2017年ICCAD年會”)在北京稻香湖景酒店舉辦。全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)精彩亮相。在這場多方矚目的行業(yè)盛會上，華虹宏力積極響應(yīng)“創(chuàng)新驅(qū)動，引領(lǐng)發(fā)展”的大會主題，向客戶及合作伙伴展示了其差異化特色工藝及最新技術(shù)解決方案。

　　11月的北京，氣溫已然低迷。原本清冽的稻香湖畔，卻因“2017年ICCAD年會”的召開而頗顯熾熱。本屆大會深入探討了集成電路產(chǎn)業(yè)面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。當(dāng)下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)正蓬勃發(fā)展，華虹宏力作為半導(dǎo)體制造企業(yè)的代表，將持續(xù)發(fā)展特色工藝，助力中國“芯”騰飛。

　　華虹宏力以特色引領(lǐng)創(chuàng)新，在嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及混合信號、電源管理IC、射頻和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等晶圓代工領(lǐng)域享有領(lǐng)先地位。全系列的嵌入式存儲器工藝平臺組合中，專為物聯(lián)網(wǎng)打造的0.11微米超低漏電(ULL)嵌入式閃存平臺，N/P管靜態(tài)漏電<1pA/μm，并支持RF-CMOS設(shè)計;95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器，包括eFlash、eEEPROM、OTP工藝平臺，助力客戶在MCU應(yīng)用市場提高競爭力，95納米的低本高效MTP(Multiple-Time Programming)工藝平臺也在加速研發(fā)中;90納米eFlash/eEEPROM工藝平臺則將加固公司在智能卡領(lǐng)域的優(yōu)勢。聚焦功率器件市場，華虹宏力的深溝槽超級結(jié)(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場截止型IGBT(Field Stop，F(xiàn)S IGBT)工藝平臺在業(yè)界廣受認(rèn)可，其中，第三代DT-SJ實現(xiàn)了超低導(dǎo)通電阻，超高開關(guān)速度的特性;1700V IGBT技術(shù)已開發(fā)完成，適用于高端工業(yè)及新能源汽車的IGBT技術(shù)也指日可待。華虹宏力還可提供全套的電源管理芯片代工方案，擁有全系列的BCD/CDMOS和CMOS模擬工藝平臺，涵蓋1微米到0.13微米，1.8V到700V。正處于戰(zhàn)略準(zhǔn)備階段的第二代BCD700V工藝平臺，將在原先基礎(chǔ)上減少2層光罩，并優(yōu)化DMOS性能。針對射頻技術(shù)，華虹宏力提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等。0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計套件(PDK)頗受好評，能有效幫助客戶提高設(shè)計效率。研發(fā)團(tuán)隊還在持續(xù)研發(fā)0.13微米射頻SOI等射頻相關(guān)技術(shù)，以響應(yīng)智能手機(jī)出貨量的增長及未來5G移動通信的發(fā)展。

　　大會期間，華虹宏力戰(zhàn)略、市場與發(fā)展部門部長胡湘俊以“智能時代，暢想芯機(jī)遇”為題發(fā)表演講：5G、人工智能等新興領(lǐng)域已開始發(fā)酵，面對“芯”時代，華虹宏力如何走好特色創(chuàng)新之路?演講現(xiàn)場，高潮迭起，精彩不斷。

　　華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士在展會現(xiàn)場接受了《半導(dǎo)體制造》專訪。

　　此次，華虹宏力展臺還特別設(shè)置了互動游戲，吸引了大量圍觀。除了有趣的大轉(zhuǎn)盤游戲讓參與者叫好外，“拍照集贊”的創(chuàng)意游戲也刷爆朋友圈，收獲滿滿人氣。