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美光:AI點火、2021年智能機容量將達1TB

作者: 時間:2018-03-08 來源:集微網(wǎng) 收藏

  上月26日,科技(Micron)發(fā)表三種全新64層堆疊第二代TLC(三級單元)3D NAND儲存產(chǎn)品,該公司表示,目前的旗艦級智能手機容量最高為256GB、預估到2021年容量將升至1TB。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201803/376626.htm

  指出,這款新產(chǎn)品將可讓智能手機廠商強化人工智能()、虛擬實境、臉部識別等下一代移動功能的使用者體驗。根據(jù)Gartner的預測、到2022年高達80%的智能手機都將內(nèi)建功能。

  Cowen分析師Karl Ackerman指出,存儲器芯片均價2月份保持在良性水準。德國硅晶圓大廠Siltronic AG 于5日也提到,市場研究機構(gòu)IHS Markit預期2018年DRAM市況將呈現(xiàn)上升趨勢。

  科技(Micron)即將于2018年5月21日在美國紐約市舉行法說會。

  



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