手機充電器革命技術(shù)出現(xiàn):體積減半,看完想買!
如果開關(guān)頻率太高,這部分功率損耗會大幅度增加而導(dǎo)致電源顯著變熱:
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201803/377281.htm
而有源鉗位反激拓撲可以解決這個問題,在有源鉗位反激拓撲中,變壓器漏感的能量并不被耗散掉,而是會先被儲存在鉗位電容里然后再被傳遞到輸出端。
有源鉗位反激拓撲優(yōu)點不僅限于此:
通過智能化的控制有源鉗位電路,主邊的FET可以實現(xiàn)零電壓開啟(ZVS),從而消除這個主要的開關(guān)電源損耗來源,效率得到進一步提高,ZVS的實現(xiàn)使我們可以使用更高的開關(guān)頻率從而減小充電器的大小。
如果我們用氮化鎵(GAN)取代基于硅的FET,實現(xiàn)ZVS所需要的能量會大大降低
這樣我們就可以使用更高的開關(guān)頻率,充電器的大小將縮小至一半
使用GaN的30W充電器(中)體積要比傳統(tǒng)24W充電器(右)小得多。
但是可靠的控制有源鉗位反激拓撲并不簡單,在過去市面上并沒有快速且智能的控制芯片產(chǎn)品來實現(xiàn)這個拓撲。
不過UCC28780控制芯片將改變這一局面
通過集成多種先進的功能比如自適應(yīng)、自調(diào)節(jié)的ZVS和脈沖模式,UCC28780化繁為簡,使有源鉗位反激拓撲在充電器中的應(yīng)用成為現(xiàn)實。
UCC28780既可以控制基于硅的也可以用于控制基于氮化鎵的主邊FET?!?/p>
為了達到嚴格的效率標準比如DoE level VI和CoC Tier 2,還有一款UCC28780配套使用的同步整流管控制器UCC24612,使用這一款同步整流控制器,副邊可以使用效率更高的同步整流管來取代二極管。
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