中美貿(mào)易戰(zhàn)，利好國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體？

　　3.2.國(guó)產(chǎn)替代暫無(wú)解領(lǐng)域：以存儲(chǔ)芯片為例

　　在半導(dǎo)體的其他諸多領(lǐng)域，大陸自給率還較低，如存儲(chǔ)(主流存儲(chǔ)DRAM和NAND Flash大陸自給率目前約為0%)、半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域(2016年自給率為11.5%)和部分半導(dǎo)體材料領(lǐng)域(尖端光刻膠領(lǐng)域自給率為0%)等。一旦自給率過(guò)低，且國(guó)外供貨商過(guò)于集中就容易造成中國(guó)相應(yīng)下游廠商被扼住脖子，致使政府的反制措施受到多重因素限制。下面就以國(guó)產(chǎn)化率極低的存儲(chǔ)器為例進(jìn)行說(shuō)明。

　　作為DRAM第三、NAND Flash第四大巨頭的美光對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的依賴度越來(lái)越高。2009年中國(guó)大陸超過(guò)美國(guó)，成為美光第一大營(yíng)收來(lái)源地區(qū)，此后大陸占比持續(xù)增長(zhǎng)，2017年中國(guó)大陸營(yíng)收達(dá)104億美元，增速高達(dá)96%，占美光總營(yíng)收比重突破50%。

　　眾所周知，目前全球兩大主流存儲(chǔ)器DRAM和NAND Flash已經(jīng)形成壟斷格局。2017年三星，SK海力士和美光三家共計(jì)占DRAM市場(chǎng)95%，而NAND Flash市場(chǎng)更是只由三星、東芝、西數(shù)、美光、SK海力士和英特爾6家瓜分。

　　當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)正值景氣周期。NOR Flash和DRAM在傳統(tǒng)和新興應(yīng)用拉動(dòng)下需求持續(xù)高漲，而供給短期內(nèi)難放開(kāi);2018年NAND Flash供需在3D-NAND Flash良率提升的帶動(dòng)下雖然即將趨于平衡，但3月9日三星平澤NAND工廠的停電事故則可能推遲這一供需平衡時(shí)刻的到來(lái)。

　　目前對(duì)美商的存儲(chǔ)器產(chǎn)品征稅有較多限制。在大陸存儲(chǔ)還沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的產(chǎn)能放出的情況下，兩大存儲(chǔ)器預(yù)計(jì)將維持供給緊缺狀態(tài)。以DRAM為例，假如對(duì)美光的DRAM產(chǎn)品征稅，則一方面可能加劇大陸存儲(chǔ)供給緊缺狀況，損害中國(guó)下游終端應(yīng)用廠商利益;另一方面則可能加劇三星和SK海力士在中國(guó)DRAM市場(chǎng)上的壟斷態(tài)勢(shì)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)看更不利于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展。

　　反過(guò)來(lái)看正是因?yàn)榇箨懘鎯?chǔ)未能實(shí)現(xiàn)自給才造成中國(guó)進(jìn)行對(duì)外貿(mào)易戰(zhàn)時(shí)掣肘較多。大陸存儲(chǔ)起步較晚，技術(shù)上落后較多，盡管目前在國(guó)家和資本的大力支持下盡力追趕，并且我們也看到了大陸存儲(chǔ)器三大基地的建立，但真正要實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)替代還需要更多時(shí)間和更大精力。

　　同時(shí)這也是以半導(dǎo)體為代表的中國(guó)高科技產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，在諸多領(lǐng)域中(如存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體設(shè)備等)大陸還是距離真正實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代有一定的距離，因此在與高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展更為完善的美國(guó)進(jìn)行貿(mào)易戰(zhàn)時(shí)，中國(guó)很難通過(guò)稅率政策進(jìn)行反擊。同時(shí)這也促使著政府必須大力發(fā)展這些產(chǎn)業(yè)，從政策和資本上持續(xù)投入，由內(nèi)而外進(jìn)行反擊。(半導(dǎo)體行業(yè)觀察)