SiC將與IGBT或MOSFET共存

作者/落合康彥 瑞薩電子中國(guó)汽車電子業(yè)務(wù)中心高級(jí)部門專家

雖然碳化硅有成本方面的問(wèn)題，但是其眾所周知的在各個(gè)高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價(jià)格方面的短板，尤其是在電動(dòng)車與再生能源越來(lái)越受到重視，將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說(shuō)將來(lái)所有的功率器件都會(huì)被碳化硅替代，我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長(zhǎng)，共生共棲。

瑞薩電子已經(jīng)推出了集成電源轉(zhuǎn)換電路的低損耗碳化硅功率器件，能夠提供工業(yè)設(shè)備的電源產(chǎn)品的功率器件的解決方案，同時(shí)也著手開(kāi)始以面向車載為重點(diǎn)的碳化硅MOSFET的研發(fā)，為電動(dòng)汽車的應(yīng)用帶來(lái)最佳的解決方案。