Intel 10nm工藝揭秘：晶體管密度比肩臺(tái)積電/三星7nm

　　作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因?yàn)樗?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/10nm">10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來(lái)，可英特爾還是給用戶(hù)潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。

　　對(duì)于很多用戶(hù)而言，都在疑問(wèn)為何英特爾一直跳票10nm呢?因?yàn)橄啾绕鹜诘呐_(tái)積電、三星等廠商，10nm工藝早已經(jīng)量產(chǎn)上市，并已推出蘋(píng)果A11、Exynos 9810等芯片，而作為PC領(lǐng)域中的大哥人物，為何英特爾跟不上潮流的發(fā)展呢?而今天，外媒TechInsight就給出了一份滿(mǎn)意的答復(fù)。

　　目前，Intel 10nm處理器已經(jīng)小批量出貨，已知產(chǎn)品只有一款低壓低功耗的Core i3-8121U，由聯(lián)想IdeaPad 330筆記本首發(fā)。

　　TechInsight分析了這顆處理器，獲得了一些驚人的發(fā)現(xiàn)，直接證實(shí)了Intel新工藝的先進(jìn)性。

　　分析發(fā)現(xiàn)，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術(shù)，晶體管密度達(dá)到了每平方毫米1.008億個(gè)(符合官方宣稱(chēng))，是目前14nm的足足2.7倍!

　　作為對(duì)比，三星10nm工藝晶體管密度不過(guò)每平方毫米5510萬(wàn)個(gè)，僅相當(dāng)于Intel的一半多，7nm則是每平方毫米1.0123億個(gè)，勉強(qiáng)高過(guò)Intel 10nm。

　　至于臺(tái)積電、GF兩家的7nm，晶體管密度比三星還要低一些。

　　換言之，僅晶體管集成度而言，Intel 10nm的確和對(duì)手的7nm站在同一檔次上，甚至還要更好!

　　另外，Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠(yuǎn)勝對(duì)手。

　　事實(shí)上與現(xiàn)有其他10nm以及未來(lái)的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標(biāo)。

　　Intel 10nm的其他亮點(diǎn)還有：

　　- BEOL后端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru)，后者是一種貴金屬

　　- BEOL后端和接觸位上首次使用自對(duì)齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)

　　- 6.2-Track高密度庫(kù)實(shí)現(xiàn)超級(jí)縮放(Hyperscaling)

　　- Cell級(jí)別的COAG(Contact on active gate)技術(shù)

　　當(dāng)然了，技術(shù)指標(biāo)再先進(jìn)，最終也要轉(zhuǎn)換成有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品才算數(shù)。