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安森美半導(dǎo)體推出新的多芯片模塊PWM降壓穩(wěn)壓器系列 提供領(lǐng)先市場(chǎng)的電流密度和全集成的MOSFET

作者: 時(shí)間:2018-06-26 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  推動(dòng)高能效創(chuàng)新的半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制(PWM)降壓轉(zhuǎn)換器。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201806/382223.htm

  半導(dǎo)體新的FAN6500X 降壓轉(zhuǎn)換器系列支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍,輸出電流高達(dá)10 A,輸出功率為100 W,結(jié)合經(jīng)歷時(shí)間測(cè)試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補(bǔ)償和強(qiáng)固的故障保護(hù)。半導(dǎo)體集成了PowerTrench? MOSFET技術(shù),以創(chuàng)建一種強(qiáng)固的集成方案,為DC-DC應(yīng)用提供領(lǐng)先業(yè)界的功率密度和能效。

  FAN65008B/5A/4B PWM 降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)合安森美半導(dǎo)體的PowerTrench MOSFET工藝與領(lǐng)先業(yè)界的封裝技術(shù)在一個(gè)四方扁平無(wú)引線(xiàn)(PQFN)封裝中,提供電源路徑上極低的寄生效應(yīng),使開(kāi)發(fā)人員能夠?qū)崿F(xiàn)98.5%的峰值能效,比使用一個(gè)外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更好的電磁干擾(EMI)。

  這三個(gè)器件都支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍,適用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,從基站電源到家庭自動(dòng)化。它們也適用于電池管理系統(tǒng),以及USB供電(PD)應(yīng)用。集成兩個(gè)LDO和一個(gè)片上電源路徑開(kāi)關(guān)使設(shè)計(jì)人員能靈活地使用電源路徑從輸入電壓、降壓轉(zhuǎn)換器輸出或通過(guò)PVCC引腳為控制器供電。

  高集成度使制造商可以采用FAN6500x系列在功率密度、物料單(BoM)成本、性能和靈活性之間取得適當(dāng)?shù)钠胶?。安森美半?dǎo)體通過(guò)充分利用PowerTrench MOSFET技術(shù),成功地解決開(kāi)發(fā)人員期望電源管理方案可提供的關(guān)鍵特性。

  FAN6500x系列實(shí)現(xiàn)了一系列全面的功能以保護(hù)器件本身和任何下游電路不受損害。這些保護(hù)功能包括可調(diào)過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷、過(guò)壓保護(hù)和短路保護(hù)。

  安森美半導(dǎo)體移動(dòng)、計(jì)算和云分部副總裁Richard Lu說(shuō):“隨著FAN6500X系列器件的發(fā)布,安森美半導(dǎo)體已生產(chǎn)了一系列強(qiáng)固的方案,以領(lǐng)先業(yè)界的能效、功率密度和靈活性幫助客戶(hù)滿(mǎn)足他們的中壓DC-DC需求。”

  安森美半導(dǎo)體提供配套的評(píng)估板(-GEVB、FAN65005A-GEVB和FAN65008B-GEVB)。請(qǐng)聯(lián)系您的安森美半導(dǎo)體銷(xiāo)售代表以申請(qǐng)?jiān)u估板。



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