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多芯片集成終于在隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)

作者: 時(shí)間:2018-07-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

隔離型歷來通過分立元件實(shí)施-分立驅(qū)動(dòng)IC和分立功率MOSFET。這些器件被用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。最主要的是“半橋”和“全橋”。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201807/384287.htm

許多云基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用采用半橋和全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如無線基站(遠(yuǎn)程無線電單元)、電源模塊和任何板載隔離型。其他應(yīng)用包括工業(yè)領(lǐng)域,如電機(jī)、風(fēng)扇和暖通空調(diào)(HVAC)。這些應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師力求降低整體方案的大小或增加輸出功率。

安森美半導(dǎo)體的FDMF8811是業(yè)界首款100 V橋式功率級模塊,優(yōu)化用于全橋和半橋拓?fù)洹DMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。

與分立方案相比,F(xiàn)DMF8811可減少一個(gè)典型的全橋方案約三分之一的PCB面積。這令制造商設(shè)計(jì)更緊湊、高能效的產(chǎn)品。物料單(BOM)器件的數(shù)量也顯著減少,實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈和裝配的高效。

如果PCB面積不是問題,那FDMF8811可有助于在現(xiàn)有的PCB面積內(nèi)提高設(shè)計(jì)的輸出功率。例如,這可通過從現(xiàn)有的、本來低功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如有源鉗位正激、反激式或推拉式,轉(zhuǎn)為采用FDMF8811的半橋或全橋拓?fù)鋪韺?shí)現(xiàn)。另一個(gè)例子是現(xiàn)有的采用分立MOSFET的半橋方案可以轉(zhuǎn)換為在相同的占板面積內(nèi)的一個(gè)全橋拓?fù)洹_@種轉(zhuǎn)換使系統(tǒng)的輸出功率加倍。

FDMF8811集成了一對100V的功率MOSFET、120 VIC和一個(gè)自舉二極管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封裝。

通過集成所有的關(guān)鍵動(dòng)力傳動(dòng)元件,安森美半導(dǎo)體已經(jīng)能優(yōu)化該模塊的和MOSFET的動(dòng)態(tài)性能、系統(tǒng)寄生電感和功率MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON),從而保持盡可能最高的能效。該集成顯著降低了供電回路的寄生效應(yīng)。這大大降低電壓應(yīng)力和電磁干擾(EMI),提高系統(tǒng)的可靠性。

采用FDMF8811的隔離型被充分優(yōu)化,以在最佳能效水平達(dá)到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811,實(shí)在沒有理由再使用分立器件!



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