格芯終止7nm FinFET工藝研發(fā)，接下來要發(fā)大招？

　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)公司宣布，將擱置7納米 FinFET項(xiàng)目，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。在裁減相關(guān)人員的同時(shí)，一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。

　　格芯方面表示，他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖，以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源，讓14/12納米 FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。

　　與此同時(shí)，格芯方面宣布，為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景和重大投資，公司正在建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持續(xù)使用最先進(jìn)的技術(shù)。該獨(dú)立ASIC實(shí)體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項(xiàng)，讓ASIC業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開合作，特別是日益增多的系統(tǒng)公司，他們需要ASIC服務(wù)同時(shí)生產(chǎn)規(guī)模需求無法僅由格芯提供。

　　這是湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)在今年年初接任首席執(zhí)行官后做出的一個(gè)重大決定。

　　“客戶對(duì)半導(dǎo)體的需求從未如此高漲，并要求我們?cè)趯?shí)現(xiàn)未來技術(shù)創(chuàng)新方面發(fā)揮越來越大的作用”。嘉菲爾德表示，“今天，絕大多數(shù)無晶圓廠客戶都希望從每一代技術(shù)中獲得更多價(jià)值，以充分利用設(shè)計(jì)每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)所需的大量投資。從本質(zhì)上講，這些節(jié)點(diǎn)正在向?yàn)槎鄠€(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供服務(wù)的設(shè)計(jì)平臺(tái)過渡，從而為每個(gè)節(jié)點(diǎn)提供更長(zhǎng)的使用壽命。這一行業(yè)動(dòng)態(tài)導(dǎo)致設(shè)計(jì)范圍到達(dá)摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉(zhuǎn)變業(yè)務(wù)重心，加倍投資整個(gè)產(chǎn)品組合中的差異化技術(shù)，有針對(duì)性的服務(wù)不斷增長(zhǎng)的細(xì)分市場(chǎng)中的客戶?！?/p>

　　格芯正在加強(qiáng)投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價(jià)值的領(lǐng)域，著重投資能在其產(chǎn)品組合中提供豐富功能的產(chǎn)品。這包括繼續(xù)側(cè)重于FDX?平臺(tái)、領(lǐng)先的射頻產(chǎn)品(包括RF SOI和高性能鍺硅)和模擬/混合信號(hào)，以及滿足越來越多低功耗、實(shí)時(shí)連接、車載設(shè)計(jì)需求的其他技術(shù)。隨著自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)和全球過渡至5G等新領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，格芯被賦予與眾不同的定位——服務(wù)“智能互聯(lián)”這一新興市場(chǎng)。

　　“減輕前沿技術(shù)領(lǐng)域的投資負(fù)擔(dān)將使格芯能夠?qū)ξ锫?lián)網(wǎng)、IoT、5G行業(yè)和汽車等快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中對(duì)大多數(shù)芯片設(shè)計(jì)人員真正重要的技術(shù)進(jìn)行更有針對(duì)性的投資，” Gartner研發(fā)副總裁Samuel Wang，先生表示，“雖然最先進(jìn)技術(shù)往往會(huì)占據(jù)大多數(shù)的熱搜頭條位置，但鮮少有客戶能夠承擔(dān)為實(shí)現(xiàn)7納米及更高精度所需的成本和代價(jià)。14納米及以上技術(shù)將在未來許多年繼續(xù)成為芯片代工業(yè)務(wù)的重要需求及驅(qū)動(dòng)因素。這些領(lǐng)域?qū)⒂袠O大的創(chuàng)新空間，可以助力下一輪科技發(fā)展狂潮?！?/p>

　　晶圓代工老二的求變

　　格芯前身是AMD的晶圓制造部門，在2009年的時(shí)候，因?yàn)楣緲I(yè)務(wù)調(diào)整，AMD將其獨(dú)立出來，成立了獨(dú)立的晶圓代工廠格芯?，F(xiàn)在的格芯被由阿布扎比比穆巴達(dá)拉投資公司(Mubadala Investment Company)所有。

　　根據(jù)國(guó)際知名分析機(jī)構(gòu)ICcinsights的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2017年，格芯的營(yíng)收約為60.6億美元，成為僅次于臺(tái)積電的全球第二大純晶圓代工廠。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新的數(shù)據(jù)也顯示，在今年上半年，格芯的營(yíng)收約為26.05億美元，依然位居全球第二的位置。正如前面所說，這是格芯堅(jiān)持兩步走的戰(zhàn)略所達(dá)成的。

　　但和其他晶圓廠一樣，格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。

　　過去幾十年，在摩爾定律的指導(dǎo)下，全球晶圓廠都在按照18個(gè)月的周期去推動(dòng)工藝的進(jìn)步，但隨著工藝的微縮，進(jìn)入最近幾年，硅片的局限突顯，制約了了平面晶體管的進(jìn)一步微縮。與此同時(shí)，UC伯克利胡正明明教授提出了FinFET晶體管的概念，并最初由英特爾在22nm工藝上首先實(shí)現(xiàn)，繼續(xù)延續(xù)摩爾定律，推動(dòng)芯片的持續(xù)微縮。與此同時(shí)，三星，臺(tái)積電和格芯等領(lǐng)先的純晶圓代工廠也在同步推進(jìn)FinFET工藝的研發(fā)，并將制程工藝推進(jìn)到了7nm。與此同時(shí)，業(yè)界也在探索FD-SOI的解決方案。