英特爾:摩爾定律繼續(xù)有效,7nm正在路上
與非網(wǎng)采訪了英特爾的三位技術(shù)專家,他們分別是英特爾公司高級(jí)副總裁、英特爾公司首席技術(shù)官兼英特爾研究院院長Mike Mayberry、英特爾公司技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶端事業(yè)部總裁兼首席工程官任沐新博士和英特爾中國研究院院長宋繼強(qiáng)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201809/391957.htm問題1:工藝節(jié)點(diǎn)發(fā)展到10nm以下,芯片代工廠面臨哪些挑戰(zhàn)?應(yīng)該如何應(yīng)對(duì)?
Mike Mayberry: CMOS 縮放并未就此終止,隨著我們控制制造能力的提高,我們可以看到它還在持續(xù)進(jìn)步。我們與其說受到物理?xiàng)l件的限制,不如說受到我們以高精度大批量制造的能力的限制。是的,進(jìn)步很難,我們不期望它會(huì)變得更容易,但我們確實(shí)希望繼續(xù)進(jìn)步下去。
我們從 22 納米節(jié)點(diǎn)的 Trigate (FinFET) 開始轉(zhuǎn)向 3D技術(shù),但更好的例子是我們?cè)?5 月推出的96 層NAND閃存,每個(gè)單元 4 位,每個(gè)芯片封裝高達(dá) 1T bits 的信息。這是一個(gè)真正的后登納德 (post-Dennard) 示例,將增加的功能打包到一個(gè)沒有特性縮放的裸片中。隨著時(shí)間的推移,我們預(yù)計(jì)邏輯也將朝著 3D技術(shù)方向發(fā)展。
英特爾公司高級(jí)副總裁、英特爾公司首席技術(shù)官兼英特爾研究院院長Mike Mayberry
我們有一些很有前途的研究設(shè)備,例如隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 和鐵電體,它們可以大幅提高功率性能。不幸的是,它們不是 CMOS 的簡(jiǎn)單替代品。因此,我們期望以異構(gòu)的方式集成這些器件(例如作為分層),從而將縮放 CMOS 的優(yōu)點(diǎn)與這些新設(shè)備提供的新功能相結(jié)合。
隨著數(shù)據(jù)量和數(shù)據(jù)類型的激增,我們希望將專門打造的新架構(gòu)快速集成到新的數(shù)據(jù)世界中。如果我們?cè)谖锢斫涌凇⒕幊棠P?、安全性等方面進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化,那么異構(gòu)集成不僅速度更快,而且可以將來自多個(gè)團(tuán)隊(duì)的小芯片組合起來。
結(jié)合了內(nèi)存和計(jì)算的新架構(gòu)是后波拉克 (post-Pollack) 數(shù)據(jù)處理的一個(gè)例子,其中一個(gè)是我們的神經(jīng)擬態(tài)測(cè)試芯片Loihi。
與傳統(tǒng)軟件工作負(fù)載相比,人工智能工作負(fù)載通常具有極為不同的內(nèi)存訪問模式,因此可以利用不同的數(shù)據(jù)處理架構(gòu)。
我們預(yù)期摩爾定律的經(jīng)濟(jì)效益將繼續(xù)存在,即使在現(xiàn)在和未來,摩爾定律看起來與戈登·摩爾最初發(fā)現(xiàn)的大不相同。因此,我們不要被辯論分散注意力,而是應(yīng)該繼續(xù)提供更好的產(chǎn)品。未來 50 年,我們必須超越我們過去 50 年的成就。
問題2:貴公司是否有開發(fā)或者支持10nm以下工藝節(jié)點(diǎn)的解決方案?在技術(shù)研發(fā)中遇到了哪些問題?如何得到解決?
任沐新博士:我們的7納米制程正在深度研發(fā)中,我們?cè)谶@方面也取得了很好的進(jìn)展。我們現(xiàn)在還不能給出一個(gè)確切的時(shí)間表。但是我們通過總結(jié)10納米的經(jīng)驗(yàn)來幫助定義7納米方面也做出了一些相當(dāng)明智的選擇。我們正努力的在密度、功耗和性能以及進(jìn)度的可預(yù)測(cè)性之間找到最佳平衡點(diǎn)。所以我想你會(huì)發(fā)現(xiàn),新方案在這三方面更加平衡。
英特爾公司技術(shù)、系統(tǒng)架構(gòu)和客戶端事業(yè)部總裁兼首席工程官任沐新博士
因此,我們?nèi)匀粫?huì)繼續(xù)提高晶體管密度,但也會(huì)注意這個(gè)密度和我們一直努力提高的晶體管性能之間的平衡關(guān)系,因?yàn)榫w管性能在我們的個(gè)人電腦業(yè)務(wù)和服務(wù)器業(yè)務(wù)中都是提高ASP(平均銷售價(jià)格)的重要因素。我們也會(huì)注意在(預(yù)測(cè))產(chǎn)品的發(fā)布(時(shí)間)方面做到更精確。以上這些都是在我們推進(jìn)7納米時(shí)、從10納米學(xué)到的寶貴經(jīng)驗(yàn)。我們一直在密切關(guān)注7納米的進(jìn)展,就像我們現(xiàn)在密切關(guān)注10納米一樣。我能感覺到在研發(fā)進(jìn)展過程中我們已經(jīng)很好的吸取了這些經(jīng)驗(yàn);我們正按照所披露的產(chǎn)品路線圖,全力推進(jìn)我們的產(chǎn)品規(guī)劃。
英特爾中國研究院院長宋繼強(qiáng):英特爾持續(xù)創(chuàng)新推動(dòng)半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展,10納米明年量產(chǎn),而在10納米的基礎(chǔ)上,7納米的進(jìn)展也非常好,通過采用超微縮技術(shù),英特爾讓單個(gè)芯片的成本加速降低。結(jié)合超微縮以及多節(jié)點(diǎn)技術(shù)集成,英特爾不斷強(qiáng)化以數(shù)據(jù)為中心的產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)力。
在半導(dǎo)體封裝方面,英特爾以“混搭”異構(gòu)設(shè)計(jì),連接不同制程工藝生產(chǎn)出來的“小芯片”,采用全新的2D和3D封裝技術(shù),能夠以超高能效移動(dòng)設(shè)備的功耗,提供強(qiáng)大的PC性能。
評(píng)論