基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）

作者：時間：2018-09-28 來源：電子產品世界

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　　碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實現(xiàn)產業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態(tài)性能，基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場追捧。

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201809/392470.htm

　　SiC JBS產品優(yōu)勢

　　作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數量級。更重要的是，與之匹配的開關管的開通損耗也可以得到大幅度減少，可提高應用電路的開關頻率。在常溫下，其正態(tài)導通壓降和Si超快恢復器件基本相同，但SiC JBS的導通電阻具有正溫度系數，使得SiC JBS適合并聯(lián)應用。在變頻或逆變裝置中用SiC JBS替換 Si 快恢復二極管，可顯著提高系統(tǒng)工作頻率和整機效率。

　　SiC JBS三大結構

　　SiC JBS性能優(yōu)勢是大電流密度、高工作結溫，其結構發(fā)展方向為：襯底減薄、使用Trench JBS結構和MPS(Merged PiN Schottky)結構。襯底減薄技術能夠有效地減小低壓SiC JBS的導通電阻，增強器件浪涌電流能力，減小器件熱阻，有利于器件在更高電流密度下工作。MPS結構有利于提高器件的浪涌電流能力。

　　在SiC JBS器件制程工藝中，p阱離子注入SiC晶格的深度受離子注入設備能力限制(<1um)，反偏條件下淺p-n結對肖特基結的屏蔽作用不是特別明顯，只有在相鄰p阱之間的間距較小時才能突顯出來，但同時帶來的正向導通溝道寬度變窄效應使得正向導通壓降顯著增加。為了解決這一問題，新一代SiC JBS的發(fā)展方向是Trench JBS結構或嵌入式JBS結構。

　　基本半導體SiC JBS產品優(yōu)勢及應用領域

　　基本半導體致力于開發(fā)3D結構的嵌入式SiC JBS二極管，與傳統(tǒng)的SiC JBS二極管相比，嵌入式JBS二極管正反向特性都得到了改善。嵌入式JBS二極管消除了離子注入P阱對肖特基接觸面積的影響，有利于增大電流密度，同時有利于提高阻斷電壓和雪崩能力?；景雽w高性能SiC JBS可廣泛應用于開關電源、UPS、馬達驅動、PFC等領域。