從ISSCC 2019看電源、模擬、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、前瞻領(lǐng)域的技術(shù)動(dòng)向

      2模擬電路的趨勢(shì)

　　2.1模擬電路的論文接受情況

　　澳門大學(xué)的羅文基教授介紹道，模擬電路方面文章主要有兩組，第一組是傳感器接口，遠(yuǎn)東區(qū)有1篇入選，歐洲3篇。第二組是模擬技術(shù)，主要關(guān)注傳統(tǒng)模擬電路技術(shù)，其中有2篇文章來(lái)自遠(yuǎn)東，3篇北美，2篇?dú)W洲。模擬方面還有1個(gè)教程(tutorial)，是關(guān)于電流感測(cè)(currentsensing)技術(shù)的。

　　會(huì)上總共介紹了十余篇論文，其中有4篇來(lái)自遠(yuǎn)東，8篇北美，4篇?dú)W洲。遠(yuǎn)東區(qū)中，有2篇來(lái)自中國(guó)臺(tái)灣，1篇是韓國(guó)，一篇是日本的。

　　2.2傳感器接口

　　2.2.1CMOS溫度傳感器。

   基于電阻式CMOS溫度傳感器方面，如圖2所示，從2014年到2019年，電阻式CMOS傳感器在resolutionFOM(分辨率函數(shù))方面逐年變好。在最近幾年，BJT(雙極結(jié)型晶體管)已經(jīng)被電阻式CMOS超越。還有最重要的一點(diǎn)，是本次有第一篇基于電阻式CMOS的技術(shù)，能做到小于0.4℃的溫差，且只用一個(gè)校準(zhǔn)點(diǎn)，這方面過(guò)去是BJT擅長(zhǎng)做的，而且比傳統(tǒng)的基于BJT的效果還好。

　　2.2.2晶振功耗。IoT設(shè)備需要快速啟動(dòng)，通常要放大信號(hào)，才能令啟動(dòng)加快。但這限制了放大器的帶寬，致使功耗效率降低。本次會(huì)議中有一篇用了I/Q調(diào)制原理，只需要DC放大(amplification)。相對(duì)地，放大器帶寬就可做得很小，使功耗可以降得很低。

　　圖3是最近幾年晶振的降低情況，可見(jiàn)在各種學(xué)術(shù)會(huì)議中，ISSCC2019所發(fā)表的功耗指標(biāo)是最低的。

　　有兩部分的文章。第一部分是傳感器接口，如圖4，有2篇論文。第一篇來(lái)自ADI公司，主要做EMF(Energy measurement frontend，能量量測(cè)前端)，通過(guò)使用準(zhǔn)確的片內(nèi)電流和電壓基準(zhǔn)子系統(tǒng)，使用insitu Back ground calibration技術(shù)實(shí)時(shí)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校正，從而使系統(tǒng)能連續(xù)工作，同時(shí)又能保證良好的精準(zhǔn)度。另外一篇文章是關(guān)于MEMS加速度計(jì)的，東芝發(fā)表的。亮點(diǎn)是性能指標(biāo)很高：能做到11倍FoM(品質(zhì)因子)的提升，還有9倍的噪聲降低。