滿(mǎn)足新能源汽車(chē)應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

　　世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通。

　　主要應(yīng)用

　　w高效服務(wù)器電源 w新能源汽車(chē) w充電樁充電模組

　　w光伏逆變器 w工業(yè)電機(jī) w智能電網(wǎng) w航空航天

　　SiC MOSFET系列

　　產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿(mǎn)足多種應(yīng)用需求。

　　產(chǎn)品特點(diǎn)：產(chǎn)品為N溝道平面柵工藝平臺(tái)，采用優(yōu)化的柵氧化技術(shù)及表面電場(chǎng)控制技術(shù)，在保證較高的柵極可靠性的前提下，最大限度提升了表面溝道遷移率，有效降低溝道、JFET區(qū)電阻，同時(shí)降低了柵極電容。同時(shí)降低了器件的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)損耗。

　　產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：產(chǎn)品為采用第三代半導(dǎo)體SiC材料研制的場(chǎng)控器件，基于材料本身的擊穿場(chǎng)強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品具有擊穿電壓高，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，同時(shí)具有較高的可靠性及較簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式。在各類(lèi)高壓電源、電力裝置里作為核心開(kāi)關(guān)功率器件，可有效提升系統(tǒng)效率，減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)復(fù)雜度。

　　同期活動(dòng)

　　w未來(lái)汽車(chē)科技園主題展新品展示 E4館4100 3月20-22日

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