安森美半導體將在APEC 2019演示 用先進云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

　　2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案，使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設計之前對系統(tǒng)性能有信心。

　　Strata Developer Studio云聯(lián)接的開發(fā)環(huán)境自1月在CES推出以來，憑其獨特的價值定位，引發(fā)了濃厚的興趣，觀看該工具的詳細介紹視頻已超過730,000次。參觀安森美半導體APEC展臺的觀眾將看到新的軟件增強，旨在以直觀的搜索和選擇功能提供更好的用戶體驗，另外旋轉(zhuǎn)式的菜單，能清楚地顯示并提供現(xiàn)有兼容器件和板的選擇，以及預覽即將推出的產(chǎn)品。

　　有興趣更深入了解Strata Developer Studio的APEC觀眾可參加3月19日(星期二)下午1:30由安森美半導體全球解決方案工程副總裁Dave Priscak主持的演講：滿足壓力大的設計人員的愿望清單，一個工具箱即提供所有合適的工具。此外，還有一篇新的博客詳細介紹了Strata的最新特性及其迅速增長的生態(tài)系統(tǒng)。

　　展臺現(xiàn)場的其它演示將包括一個11 kW碳化硅(SiC) 功率因數(shù)校正(PFC)演示，采用新的NVHL080N120SC1 SiC MOSFET 和NCP51705集成的SiC 驅(qū)動器。該演示基于3相全橋PFC以100 kHz開關(guān)速度運行，展示MOSFET對比IBGT設計在開關(guān)損耗方面的優(yōu)勢。安森美半導體還將展示用于工業(yè)自動化的新的電子保險絲和智能無源傳感器、一個高密度USB-PD方案、一個有源鉗位反激方案，以及有關(guān)核心及輔助電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動器電源模塊的創(chuàng)新。