AMD公布3D封裝技術(shù)：處理器與內(nèi)存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起
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編者按：在Rice Oil&Gas高性能計算會議上，AMD高級副總裁Forrest Norrod介紹，他們正跟進3D封裝技術(shù)，目標(biāo)是將DRAM/SRAM(即緩存等)和處理器(CPU/GPU)通過TSV(硅穿孔)的方式整合在一顆芯片中。
目前的智能手機普遍實現(xiàn)了處理器SoC和內(nèi)存(DRAM)的堆疊式封裝(PoP)，從AMD日前公布的信息來看，PC產(chǎn)品也有望實現(xiàn)類似的技術(shù)。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201903/398650.htm在Rice Oil&Gas高性能計算會議上，AMD高級副總裁Forrest Norrod介紹，他們正跟進3D封裝技術(shù)，目標(biāo)是將DRAM/SRAM(即緩存等)和處理器(CPU/GPU)通過TSV(硅穿孔)的方式整合在一顆芯片中。
其實此前，AMD就率先推出了HBM顯存產(chǎn)品，實現(xiàn)了GPU芯片和顯存芯片整合封裝，但那僅僅屬于2.5D方案。
3D堆疊的好處在于縮短了電流傳遞路徑，也就是會降低功耗。不過，3D封裝的挑戰(zhàn)在于如何控制發(fā)熱。
遺憾的是，AMD并未公布更多技術(shù)細節(jié)。
AMD稱，雖然光刻工藝在精進，但是頻率甚至要開始走下坡路，需要一些新的設(shè)計助力。
其實Intel今年也公布了名為Foveros的3D芯片封裝技術(shù)，將22nm I/O基板、10nm Sunny Core和四核Atom整合在一起，功耗僅7瓦。
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