臺積電打造40納米無線系統(tǒng)SoC

臺積電、Ambiq Micro2日共同宣布，采用臺積電40納米超低功耗（40ULP）技術生產(chǎn)的Apollo3 Blue無線系統(tǒng)單芯片（SoC）締造領先全球的最佳功耗表現(xiàn)。

臺積電業(yè)務開發(fā)副總經(jīng)理張曉強博士表示，很興奮見證Ambiq設計技術、臺積電制程專業(yè)所打造的成果。他強調(diào)，臺積電憑借業(yè)界最具規(guī)模的設計生態(tài)系統(tǒng)，持續(xù)開發(fā)55ULP、40ULP到22ULL等的完備低操作電壓制程組合，樂觀未來協(xié)助客戶生產(chǎn)智能化的互聯(lián)設備，使產(chǎn)品能隨時以簡單、直觀方式與使用者互動。

Ambiq Micro營銷副總裁Aaron Grassian則說，采用臺積電低操作電壓制程技術來打造下一代具備SPOT能力的設備。Ambiq Micro持續(xù)提升產(chǎn)品能源效率，協(xié)助客戶將真正智能化功能置入電池供電的移動設備。

臺積電表示，借由Ambiq的亞閾值功率優(yōu)化技術（Subthreshold Power Optimized Technology, SPOT）平臺與臺積電40ULP低操作電壓（low-Vdd）制程，具備TurboSPOTTM技術的Apollo3 Blue樹立起能源效率的新標準。

并說明，Apollo3 Blue將ARM Cortex M4F核心運算能力提升至96MHz，操作功耗降至6uA/MHz以下，可支持電池供電的設備產(chǎn)品。該芯片卓越性能讓Ambiq業(yè)務延伸到電池供電的智能家庭設備，以及需隨時保持開啟的聲控應用，如遙控器與耳戴設備等產(chǎn)品等嶄新市場。

臺積電指出，40ULP技術藉由低漏電晶體管來進行節(jié)能，其中包括閘極及接面在內(nèi)的所有漏電路徑皆經(jīng)過仔細的優(yōu)化。此外，臺積電亦提供超低漏電晶體管（eHVT）及超低漏電(ULL)靜態(tài)隨機存取存儲器的單位元，低操作電壓解決方案結合數(shù)種不同臨界電壓晶體管與完備的設計基礎架構，包括支援0.7伏操作電壓并具備時序簽核方法的標準元件庫、支援低操作電壓的優(yōu)化設計流程、以及涵蓋低操作電壓且具有準確性與寬廣范圍的SPICE模型。

另外，繼40ULP之后，臺積電擴展低電壓組合至22ULL以支持極低功耗應用，提供更佳的射頻與加強的類比功能，以及低漏電eHVT裝置與超低漏電靜態(tài)隨機存取存儲器的單位元。臺積電透露，此項技術支援低電壓設計，將操作電壓降至0.6伏，并且搭配芯片上的磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）及電阻式隨機存取存儲器（RRAM）以實現(xiàn)低漏電嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案，支援物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的應用。