傳合肥長(zhǎng)鑫年底量產(chǎn)DDR4內(nèi)存：19nm工藝、8Gb核心

前不久紫光宣布在重慶投資數(shù)百億建設(shè)DRAM內(nèi)存研發(fā)中心及晶圓廠，最快2021年量產(chǎn)，這對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片，尤其是內(nèi)存來說是一個(gè)大事件。

不過在紫光之前，我們可能看到的第一個(gè)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存應(yīng)該是合肥長(zhǎng)鑫公司的，他們比紫光做內(nèi)存更早，該公司2016年成立于安徽合肥，一期工程投資就高達(dá)72億美元（約合494億人民幣），將建設(shè)一座月產(chǎn)能12.5萬晶圓的內(nèi)存廠，目前工廠建設(shè)已經(jīng)進(jìn)入了尾聲，正在進(jìn)行設(shè)備安裝、調(diào)試階段。

最新消息顯示，合肥長(zhǎng)鑫的進(jìn)展還跟順利，已經(jīng)提前進(jìn)行機(jī)臺(tái)安裝，有望在Q4季度順利量產(chǎn)國(guó)內(nèi)第一批內(nèi)存。

根據(jù)合肥長(zhǎng)鑫之前公開的資料，去年該公司與兆易創(chuàng)新達(dá)成了合作協(xié)議，共同開發(fā)19nm工藝的DRAM內(nèi)存，去年底已經(jīng)推出了8Gb DDR4內(nèi)存樣品，今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內(nèi)存樣品，年底正式量產(chǎn)，月產(chǎn)能將達(dá)到2萬片晶圓，后續(xù)不斷提升到12.5萬片晶圓/月的目標(biāo)產(chǎn)能。

此前在GSA+Memory存儲(chǔ)峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的董事長(zhǎng)兼CEO朱一明發(fā)表了《中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，提到了長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù)來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)公司，獲得了一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)，在此基礎(chǔ)上改進(jìn)、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元。

如果年底順利量產(chǎn)19nm工藝、8Gb核心的內(nèi)存，雖然與美光、三星等公司的第三代10nm工藝還有一兩代的代差，但是這個(gè)技術(shù)水平還是可以的，因?yàn)槭忻嫔虾芏鄡?nèi)存條也就是這個(gè)規(guī)格，用于制備單條8GB、16GB的內(nèi)存條是OK的，可以說國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的起點(diǎn)是非常高的，但后續(xù)的良率、產(chǎn)能提升才是關(guān)鍵，在這個(gè)市場(chǎng)上賺到錢活下去并不容易。