直追7nm水平 格芯推出12LP+工藝：性能提升20%

在今天開始的全球技術(shù)大會GTC上，Globalfoundries（格芯，簡稱GF）宣布推出12LP+工藝，這是12nm LP工藝的改進(jìn)版，性能提升20%，功耗降低40%。

從AMD拆分出來的GF公司去年8月份突然宣布放棄7nm及以下工藝，專注14/12nm及特種工藝，為此AMD也不得不將7nm訂單完全轉(zhuǎn)交給臺積電。GF這邊，14/12nm工藝依然會給AMD代工，現(xiàn)在的7nm銳龍及霄龍?zhí)幚砥鞯腎O核心還是GF代工的。

雖然不追求更尖端的的工藝了，但是GF并不會停止技術(shù)升級，這次推出的12LP+工藝是在12nm LP（它又是在14nm工藝上改良的）基礎(chǔ)上改良優(yōu)化的，與后者相比性能提升了20%，功耗降低了40%，面積縮小了15%。

該工藝的一大特點(diǎn)是高速，SARM單元電壓低至0.5V，支持處理器、內(nèi)存之間的高速低功耗數(shù)據(jù)傳輸，這是計(jì)算及AI應(yīng)用中的重要要求。

與此同時，GF還同步推出了適用于AI應(yīng)用及程序/技術(shù)聯(lián)合開發(fā)（DTCO）服務(wù)的設(shè)計(jì)參考套件，這兩者都能從整體上提高AI電路的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)低功耗、低成本的開發(fā)。

另外一個關(guān)鍵功能就是2.5D封裝，該技術(shù)有助于將高帶寬內(nèi)存HBM與處理器集成在一起，以便進(jìn)行高速、低功耗的數(shù)據(jù)傳輸。

GF表示12LP+工藝可以在AI應(yīng)用中充分利用ARM的物理IP及POP IP核心，同時這兩種IP方案也適用于原始的12nm工藝。

對于12LP+工藝，GF官方表示他們的12LP+解決方案可以給客戶提供他們希望從7nm工藝中獲得的性能、功耗優(yōu)勢，但NRE成本只有7nm工藝的一半，可以節(jié)約很多。此外，12nm工藝已經(jīng)足夠成熟，客戶流片速度也會很快，有助于快速滿足不斷增長的AI市場需求。

根據(jù)GF的消息，12LP+工藝的PDK現(xiàn)在已經(jīng)可用，正在跟多個客戶合作，預(yù)計(jì)在2020下半年流片，2021年開始在紐約的Fab 8工廠量產(chǎn)。