CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn)，并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺(tái)。這項(xiàng)新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。

這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制，對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言，該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

該可擴(kuò)展平臺(tái)中的第一款產(chǎn)品是一個(gè)三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，它具有低導(dǎo)通損耗特性，導(dǎo)通電阻為3.25毫歐（mOhm），同時(shí)具有低開關(guān)損耗特性，在600V/300A時(shí)導(dǎo)通和關(guān)斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ。相比最先進(jìn)的IGBT功率模塊，其將損耗降低了至少三倍。新模塊通過一個(gè)輕質(zhì)的鋁碳化硅（AlSiC）針翅底板進(jìn)行水冷，結(jié)到流體的熱阻為0.15°C / W。該智能功率模塊可承受高達(dá)3600V的隔離電壓（經(jīng)過50Hz、1分鐘的耐壓測(cè)試）。

內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器包括3個(gè)板載隔離電源（每相1個(gè)），可提供每相高達(dá)5W的功率，從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。高達(dá)10A的峰值柵極電流和對(duì)高dV/dt（> 50KV/μs）的抗擾性可實(shí)現(xiàn)功率模塊的快速開關(guān)和低開關(guān)損耗。還具備欠壓鎖定（UVLO）、有源米勒鉗位（AMC）、去飽和檢測(cè)和軟關(guān)斷（SSD）等保護(hù)功能，以確保一旦發(fā)生故障時(shí)可以安全地驅(qū)動(dòng)功率模塊并提供可靠的保護(hù)。

“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)碳化硅功率模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)允且粋€(gè)挑戰(zhàn)，”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton表示。“這款新型碳化硅智能功率模塊是在功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器方面進(jìn)行多年開發(fā)的成果，這源于我們和汽車與交通運(yùn)輸領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者們的密切合作。我們很樂意向早期的碳化硅器件采用者提供首批智能功率模塊樣品，從而去支持汽車行業(yè)向高效的電動(dòng)汽車解決方案過渡?！?/p>