IBM z15集成1315MB海量緩存：14nm工藝媲美臺積電5nm

近日,IBM披露了其新一代主機IBM z15的諸多技術(shù)細節(jié),再次彰顯了藍色巨人的雄厚實力,尤其是緩存容量和密度驚人。

IBM z15集成了122億個晶體管,比上代z14增加了25億個,每顆芯片12個物理核心,總面積696平方毫米,與上代完相同。

IBM z15、z14核心規(guī)格對比

緩存分為四個級別,其中一二級集成于核心內(nèi)部,三四級位于核心外,容量則都大大提升:每個核心一級指令緩存128KB、一級數(shù)據(jù)緩存128KB,總?cè)萘?MB;每個核心二級指令緩存4MB、二級數(shù)據(jù)緩存4MB,總?cè)萘?6MB,比上代翻番。

三級緩存從128MB翻番至256MB,四級緩存則從672MB來到了960MB,幾乎增加了一半。

這樣算下來,每一顆處理器的四個級別緩存總?cè)萘烤瓦_到了驚人的1315MB。

頻率方面,一二級緩存與CPU核心一樣都運行在5.2GHz,三四級緩存則是半速2.6GHz。

IBM z15四個級別的緩存

更驚人的是,IBM z15的制造工藝依然是IBM、GlobalFoundries聯(lián)合研發(fā)的14nm FinFET SOI。緩存增加如此之多,總面積卻保持不變,當(dāng)真是寶刀不老。

另外,z15的二三四級緩存都是高密度的eDRAM存儲單元,每單元面積為0.0174平方微米,甚至比臺積電5nm工藝下的SRAM密度還要高,后者每單元面積為0.021平方微米。

當(dāng)然這樣比較并不完全精確,因為SRAM每單元一般是六個晶體管,eDRAM則是一個,但也足以看出14nm工藝的爐火純青。

WikiChip分析師David Schor也表示,IBM/GF 14nm被證明是極為出色的。

領(lǐng)先工藝的SRAM集成密度對比