小尺寸650V GaN HEMT 設計解決方案 GaN Systems GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板在貿(mào)澤開售

近日，專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。此高速子板結合了GaN Systems的兩個650 V氮化鎵 (GaN) E-HEMT和安森美半導體的NCP51820柵極驅(qū)動器，可為現(xiàn)有或新的離線電源轉(zhuǎn)換設計提供高性價比半橋解決方案。

作為授權分銷商，貿(mào)澤電子始終致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術，幫助客戶設計出先進產(chǎn)品，并使客戶產(chǎn)品更快走向市場。超過800家半導體和電子元器件生產(chǎn)商通過貿(mào)澤將自己的產(chǎn)品帶向全球市場。貿(mào)澤只為客戶提供通過全面認證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。

貿(mào)澤備貨的GaN Systems GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板具有安森美半導體的一個NCP51820柵極驅(qū)動器、GaN Systems的兩個采用高側(cè)/低側(cè)配置的GS66508B增強型硅基GaN功率開關，以及所有必需的驅(qū)動電路。NCP51820擁有非常短的匹配傳播延遲，先進的電平移位技術以及單獨的專用穩(wěn)壓器，可以防止功率開關的門極發(fā)生過壓情況。兩個GS66508B器件都是底部冷卻晶體管，可為要求苛刻的高功率應用提供極低的結至外殼熱阻。

上述產(chǎn)品特性使得GS-EVB-HB-66508B-ON1 板能夠大幅降低功耗、重量、尺寸和系統(tǒng)成本。這款25 mm × 25 mm 的電路板可以替代現(xiàn)有電源中的高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動器和MOSFET，非常適合用于AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)和無橋圖騰柱拓撲等應用。