中芯國(guó)際與臺(tái)積電差在哪？官方：14nm量產(chǎn)落后4年

中芯國(guó)際回歸國(guó)內(nèi)上市的進(jìn)度很快，已經(jīng)完成問(wèn)詢階段了。今天媒體披露了上市問(wèn)詢的具體信息，中芯國(guó)際談到了他們?cè)谙冗M(jìn)工藝中的競(jìng)爭(zhēng)情況，雖然他們的14nm工藝量產(chǎn)進(jìn)度比臺(tái)積電等公司落后4年，不過(guò)該工藝依然領(lǐng)先，性價(jià)比也有一定優(yōu)勢(shì)。

在集成電路晶圓代工領(lǐng)域內(nèi)，全球范圍內(nèi)有技術(shù)能力提供14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的純晶圓代工廠有4家，而目前有實(shí)際營(yíng)收的純晶圓代工廠僅剩3家。

根據(jù)各公司的公開(kāi)信息整理，臺(tái)積電于2015年實(shí)現(xiàn)16納米制程晶圓代工的量產(chǎn)，格羅方德于2015年實(shí)現(xiàn)14納米制程晶圓代工的量產(chǎn)，聯(lián)華電子于2017年實(shí)現(xiàn)14納米制程晶圓代工的量產(chǎn)。

中芯國(guó)際公司14納米制程的集成電路晶圓代工業(yè)務(wù)于2019年開(kāi)始量產(chǎn)。

不過(guò)中芯國(guó)際的14nm也有其優(yōu)點(diǎn)，公司表示第一代14納米 FinFET 技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段，技術(shù)處于國(guó)際領(lǐng)先水平，且具有一定性價(jià)比，目前已同眾多客戶開(kāi)展合作，預(yù)測(cè)產(chǎn)能利用率可以穩(wěn)定保持在較高水平。

此外，中芯國(guó)際還公布了14nm及以下工藝的建設(shè)進(jìn)展，“12英寸芯片SN1項(xiàng)目”是中國(guó)大陸第一條14納米及以下先進(jìn)工藝生產(chǎn)線，規(guī)劃月產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片，目前已建成月產(chǎn)能6000片。