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靜電槍電路模型的建立及驗(yàn)證

作者:蘆?。ㄏ嫣洞髮W(xué) 物理與光電工程學(xué)院,湖南 湘潭 411105) 時(shí)間:2020-07-24 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
編者按:ESD一直是電氣和電子元件產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)和突出威脅。在系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試過(guò)程中,通常用靜電槍來(lái)模擬ESD放電場(chǎng)景,放電電流波形必須符合IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)。但標(biāo)準(zhǔn)給的誤差范圍較大,較大的誤差會(huì)影響仿真結(jié)果的準(zhǔn)確性。本文在Cadence下建立了靜電槍電路模型,包括接觸放電模型和HBM模型,具有較高的精確性。模型產(chǎn)生的電流波形與實(shí)際測(cè)試電流波形吻合性較好,驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性。該電路模型為靜電放電仿真提供了一個(gè)新的激勵(lì)源。


本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202007/416135.htm

0   引言

ESD(靜電放電)是由于金屬和非金屬幾何結(jié)構(gòu)上電荷的積累,通常是摩擦起電。這種帶電體直接或間接的相互作用是ESD放電發(fā)生的主要原因。ESD脈沖的泄放,使產(chǎn)品的軟硬2種失效都有可能發(fā)生。所以電子產(chǎn)品對(duì)ESD的監(jiān)測(cè)和防護(hù)是十分有必要的。系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試的主要測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是國(guó)際電工委員會(huì)規(guī)定的IEC 61000-4-2[1]。為了確保電子產(chǎn)品在遭受ESD脈沖時(shí)和ESD脈沖過(guò)后都能夠繼續(xù)正常工作,需要實(shí)施系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試。在系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試過(guò)程中,我們用ESD發(fā)生器()來(lái)模擬ESD放電場(chǎng)景,但是頻繁地進(jìn)行實(shí)際系統(tǒng)級(jí)防靜電測(cè)試是昂貴和耗時(shí)的過(guò)程,因此有必要尋求1種有效的方法來(lái)分析和預(yù)測(cè)設(shè)備的靜電防護(hù)能力。

作者簡(jiǎn)介:蘆俊,男,碩士生。郵箱:junlu.xt@foxmail.com。

1   IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)

在IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)中,電路如圖1所示,已充電的150 pF電容器通過(guò)330 Ω電阻放電,從而產(chǎn)生如圖2所示的電流波形,該波形中有2個(gè)峰值。 根據(jù)測(cè)試電壓,從(2~8) kV分為4個(gè)等級(jí),每個(gè)等級(jí)相差2 kV,不同等級(jí)下對(duì)應(yīng)的特性參數(shù)也不同。第1個(gè)峰值電流為3.75 kV/A,誤差不得超過(guò)15%。30 ns的電流為2 kV/A,誤差不大于30%,60 ns的電流為1 kV/A,誤差小于30%。波形的上升時(shí)間占第一峰值電流的10%至90%,通常為0.8 ns,誤差不能超過(guò)25%。然而這個(gè)誤差范圍相對(duì)較大,可能引起仿真結(jié)果的不準(zhǔn)確?,F(xiàn)存的精確度雖然有所提高,但與標(biāo)準(zhǔn)值還是有些差距[2-3]。本文對(duì)進(jìn)行優(yōu)化后,在下進(jìn)行模型的搭建與仿真,其輸出波形的特征參數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)值接近一致。

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圖1 IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)下接觸放電電路簡(jiǎn)圖

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2   接觸放電

2.1 數(shù)值計(jì)算

我國(guó)學(xué)者盛松林曾提出接觸放電波形可以看做一大一小2個(gè)波組合而成,并且用數(shù)值表達(dá)式擬合出接觸放電電流波形,但他的模型是基于度量的,沒(méi)有電路特性[4]。在電路上可以用2個(gè)不同的電容放電來(lái)形成這樣的波,電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)如圖3所示。圖4是電路的s域模型,設(shè)a點(diǎn)電壓為Y(s),則可以列出a點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)方程[5]

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圖3 接觸放電模型電路原理圖

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圖4 s域電路模型

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求出I(s),再進(jìn)行拉普拉斯逆變換,最終求得時(shí)域中的電流I(t)[6]

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通過(guò)計(jì)算發(fā)現(xiàn),第1峰值的大小主要由R2、C2、L2決定,它會(huì)隨著C2的增加,R2的減小而變大;第2峰值主要由R1、C1、L1決定,它會(huì)隨著C1的增加,R1的減小而變大。R3為待測(cè)器件的阻值,一般是2 Ω。最終元件參數(shù)值如表1所示。

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圖5是電壓為2 kV下的數(shù)值計(jì)算波形與實(shí)測(cè)波形的對(duì)比圖(紅色線是MATLAB下數(shù)值計(jì)算曲線,藍(lán)色線是實(shí)測(cè)曲線),可以看出兩者的吻合度是比較好的。波形的特征參數(shù)值如表2所示。

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圖5 2 kV下接觸放電模型的數(shù)值計(jì)算與實(shí)測(cè)對(duì)比圖

2.2 電路仿真

為了進(jìn)一步驗(yàn)證模型的準(zhǔn)確性,在環(huán)境下搭建了電路并進(jìn)行了仿真,仿真結(jié)果如圖6所示??梢钥闯龈鞯燃?jí)下波形的特征參數(shù)都符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)且具有較高的精確度。其中,第1峰值電流誤差在2.8%以內(nèi),30 ns電流值誤差在3.1%以內(nèi),60 ns電流值誤差在2.5%以內(nèi)。可見(jiàn),此模型具有很好的精確性與穩(wěn)定性,很適合用于接觸放電仿真測(cè)試。

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圖6 下接觸放電仿真波形圖

3   HBM電路模型

為了擴(kuò)展模型的實(shí)用性,把接觸放電模型改成了HBM模型。圖7為靜電槍的HBM模型,它與接觸放電模式的不同點(diǎn)在于:原電路中R1的阻值由330 Ω變成1.5 kΩ,C1的電容值由150 pF變?yōu)?00 pF。2 kV下模型產(chǎn)生的放電電流波形如圖8所示,其中紅色線是Cadence下仿真曲線,藍(lán)色線是實(shí)測(cè)曲線,可以看出兩者的吻合度也是很好的。改進(jìn)后的模型可用于靜電仿真測(cè)試中的HBM測(cè)試。

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圖7 HBM模型電路原理圖

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圖8 2 kV下HBM模型的仿真與實(shí)測(cè)對(duì)比圖

4   結(jié)論

本文提出了一種新的靜電發(fā)生器電路模型,該模型在Cadence中建立并驗(yàn)證。優(yōu)點(diǎn)是:①模型產(chǎn)生的波形很穩(wěn)定且與實(shí)測(cè)波形的吻合度較好;②適用于2種測(cè)試模式,接觸放電測(cè)試和HBM測(cè)試。其中,接觸放電的仿真結(jié)果與IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)非常吻合。第1峰值電流誤差在2.8%以內(nèi),30 ns電流值誤差在3.1%以內(nèi),60 ns電流值誤差在2.5%以內(nèi)。此外,HBM模型的仿真結(jié)果與實(shí)測(cè)波形的吻合性也很好,從而證實(shí)了新模型系統(tǒng)行為的準(zhǔn)確性。該電路模型為靜電放電仿真提供了1個(gè)新的激勵(lì)源。

參考文獻(xiàn):

[1] Electromagnetic Compatibility (EMC) Part 4-2: Testingand Measurement Techniques-Section 2: ElectrostacticDischarge (ESD) Immunity Test, TEC-EN 61000-4-2,2008.

[2] 田巍,石磊.靜電放電發(fā)生器模型的研究及應(yīng)用[J].科技廣場(chǎng),2011(07):82-84.

[3] MERTENS R,KUNZ H,SALMAN A,et al.A flexiblesimulation model for system level ESD stresses with application to ESD design and troubleshooting[C],Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD), 2012 34th. IEEE, 2012.

[4] 盛松林,畢增軍,田明宏,等.一個(gè)新的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)ESD電流解析表達(dá)式[J].強(qiáng)激光與粒子束(5):464-466.

[5] 邱關(guān)源.電路.第5版[M].北京:高等教育出版社,2006.

[6] TANAKA H,FUJIWARA O,YAMANAKAY.A Circuit Approach to Simulate DischargeCurrent Injected in Contact with an ESDgu n [ C ],I n t e r n a t i o n a l S y m p o s i u m o nElectromagnetic Compatibility.

(本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2020年8月期)



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