低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
—— 器件采用PowerPAK SO-8單體封裝，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET--- SiRA99DP ，10 V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代 SiRA99DP 導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202008/417198.htm日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，即開關(guān)應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù) (FOM) 為185 mW*nC，達到同類產(chǎn)品最佳水平。
器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開關(guān)、反向極性電池保護、 OR-ing功能，以及電信設(shè)備、服務(wù)器、工業(yè)PC和機器人的電機驅(qū)動控制。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數(shù)量，換句話說，加大單個器件電流，從而提高功率密度，節(jié)省這些應(yīng)用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。
這款MOSFET經(jīng)過RG和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。
SiRA99DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周，視市場情況而定。
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