電源設計，進無止境

電源管理的前沿趨勢

我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設計技術，從而為您的應用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進一步發(fā)展的合作伙伴 。

1   功率密度：提高功率密度以在更小的空間內實現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能	2   低 IQ：在不影響系統(tǒng)性能的同時，降低靜態(tài)電流以延長電池壽命和貨架壽命
3   低 EMI：最大限度地減少干擾，以降低系統(tǒng)成本并快速滿足EMI 標準	低噪聲和高精度：增強功率和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護
5   隔離：通過高壓隔離柵傳輸信號和/或電力，以提高較高工作電壓下的安全性和可靠性

功率密度

在更小的空間內實現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能

隨著人們對電源的要求越來越多，電路板面積和厚度日益成為限制因素。電源設計人員必須向其應用中集成更多的電路，才能實現(xiàn)產(chǎn)品的差異化，并提高效率和增強熱性能。使用 TI 的先進工藝、封裝和電路設計技術，現(xiàn)能以更小的外形尺寸實現(xiàn)更高的功率等級。

器件產(chǎn)熱更少

? 業(yè)內先進的電源處理節(jié)點電壓小于 100V

? 600V 氮化鎵 (GaN) 器件可提供出色的開關性能比較效率提升對溫升影響的熱圖像。

比較效率提升對溫升影響的熱圖像。

散熱型封裝

? HotRod? 封裝

? 支持散熱墊的增強型 HotRod QFN 封裝

HotRod^TM 封裝不僅省去了 接合線，還能保持出色的熱性能。

拓撲和電路支持更小的無源組件

? 多級轉換器拓撲

? 先進的功率級柵極驅動器支持更小磁性元件的多級拓撲。

支持更小磁性元件的多級拓撲。

通過集成，可最大限度地減小寄生效應并減少系統(tǒng)占用空間

? MicroSiP 3D 模塊集成

? 具有低環(huán)路電感的 GaN 和驅動器多芯片模塊(MCM)

MicroSiP 封裝支持 3D 集成。

功率密度的關鍵產(chǎn)品分類：電池充電器IC，降壓-升壓和反相穩(wěn)壓器，氮化鎵（GaN）IC，隔離偏置電源，隔離柵極驅動器，LED驅動器，線性穩(wěn)壓器（LDO），多通道 IC（PMIC），離線和隔離DC / DC控制器 與轉換器，電源開關，降壓型穩(wěn)壓器，升壓型穩(wěn)壓器，USB Type-C和USB Power Delivery IC

GaN + 柵極驅動器 MCM 可減小寄生效應，并提高功率密度 。

低靜態(tài)電流 (I_Q)

在不影響系統(tǒng)性能的同時，延長電池壽命和存儲時間

在電池供電的系統(tǒng)中，為了在空載或輕負載條件下實現(xiàn)高效率，需要電源解決方案在保持超低供 電電流的同時，對輸出進行嚴格調節(jié)。借助 TI 的超低 I_Q 技術和產(chǎn)品組合，您可在下一個設計中實現(xiàn)低功耗，并最大限度地延長電池運行時間。

低待機功耗

●   使用超低泄漏元件和新型控制拓撲，延長電池運行時間

快速喚醒和低待機功耗。

快速響應時間

●   通過快速喚醒電路和自適應偏置增強系統(tǒng)功能，以提高動態(tài)響應時間，同時保持超低的靜態(tài)功耗

與同類產(chǎn)品相比，TI 產(chǎn)品具有超低的 I_Q 和出色的瞬態(tài)響應。

需要低 IQ 特性的主要產(chǎn)品類別：電池充電器 IC、降壓/升壓和反相穩(wěn)壓器、線性穩(wěn)壓器 (LDO)、電源開關、串聯(lián)電壓基準、并聯(lián)電壓基準、降壓穩(wěn)壓器、升壓穩(wěn)壓器、監(jiān)控器和復位 IC

S外形小巧

●   借助 TI 的專利電路技術，可實現(xiàn)支持應用的裸片和封裝尺寸，且不會影響靜態(tài)功耗

不影響 I_Q 的超小型封裝。