ROHM為新基建帶來的功率器件和電源產(chǎn)品

1 無線基站

羅姆（ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器等，有助于降低功耗。 

SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET SCT3系列有650 V和1 200 V的六款產(chǎn)品，特點是導通電阻比第2代平面型產(chǎn)品小50%，這使其非常適合需要高效率的大型服務器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能轉(zhuǎn)換器以及電動汽車充電樁。SCT3系列以能更大限度提高開關性能的4引腳封裝（TO-247-4L）（圖1右）形式提供。與傳統(tǒng)3引腳封裝類型相比，開關損耗最大可以減少35%，有助于在各種應用中降低功耗。此外，與傳統(tǒng)3引腳封裝SiC MOSFET中的柵極電壓因電源終端的電感元件而下降、導致開關速度延遲不同的是，這種新型4引腳封裝包含的柵極驅(qū)動器電源終端與傳統(tǒng)電源終端分離，可更大限度減少柵極電壓的下降，從而能夠大幅度提高開關性能。

圖1 羅姆第3代溝槽柵型SiC MOSFET SCT3系列

2 80V工業(yè)應用

羅姆的耐高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器輸入電壓達80V，輸出電流達3A,支持廣泛的工業(yè)應用。其中， BD9G341AEFJ-LB（圖2）內(nèi)置80V耐壓3.5A額定電流、導通電阻150mΩ的功率MOSFET，還通過電流模式控制方式，實現(xiàn)了高速瞬態(tài)響應和簡便的相位補償設定。頻率在(50～750)kHz的范圍內(nèi)可變，內(nèi)置低電壓誤動作防止電路、過電流保護電路等保護功能。此外，可通過高精度的EN引腳閾值進行低電壓鎖定，及使用外接電阻設定滯后。

圖2 羅姆耐高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器BD9G341AEFJ-LB

3 48V汽車、工業(yè)與基站設備

此外，在羅姆高耐壓、同步整流降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品中，BD9V101MUF-LB（圖3）采用了羅姆專有的超高速控制技術——Nano Pulse Control，開關導通時間短，使用單芯片即可從48V轉(zhuǎn)換為3.3V（2.1MHz開關頻率下）。DC/DC轉(zhuǎn)換器的單芯片化與使用2個芯片相比，可以大大減少包括外圍零件在內(nèi)的零件數(shù)量，特別是頻率的提高，使線圈的大幅小型化成為可能。因此，不僅實現(xiàn)了應用的小型化、系統(tǒng)簡化，還降低了成本。輕度混合動力汽車自不必說，在工業(yè)機器人、基站的輔助電源等采用48V電源系統(tǒng)驅(qū)動的工業(yè)設備領域，有助于小型化和低成本化，有望進一步在社會上得到推廣。

圖3 羅姆高耐壓、同步整流降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器BD9V101MUF-LB

（本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2020年9月期）