華為+中科院攻關EUV光刻機?ASML華裔工程師:天方夜譚
9月16日,中國科學院院長白春禮在國新辦發(fā)布會上介紹稱,“率先行動”計劃第二階段要把美國“卡脖子”的清單變成科研任務清單進行布局,集中全院力量聚焦國家最關注的重大領域攻關。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202009/418597.htm白春禮稱,從2021年到2030年未來的十年是“率先行動”計劃第二階段。對此,首先要進行體制機制改革。他稱,目前已經(jīng)設立了創(chuàng)新研究院、卓越創(chuàng)新中心、大科學中心和特色所四類機構(gòu),目的是根據(jù)科研性質(zhì)不同進行分類定位、分類管理、分類評價、分類資源配置。
“這個工作還沒有完,只是進行了一部分,所以第二階段我們爭取在2025年要把四類機構(gòu)全部做完,全院100多研究所重新定位為90個左右的四類機構(gòu),這樣就完成了全部的體制機制改革。”白春禮補充。
此外,白春禮還表示,面臨美國對中國高科技產(chǎn)業(yè)的打壓,未來十年將針對一些卡脖子的關鍵問題做一些新的部署。他強調(diào),后續(xù)科學院將在“率先行動”的第二個階段目標中, “將‘卡脖子’的問題和國外出口管制的清單轉(zhuǎn)化為我們的任務清單。”
在中科院表態(tài)支持針對“卡脖子”問題進行攻關之后,9月17日下午,華為技術有限公司CEO任正非一行來訪中國科學院,與中科院的專家學者們舉行了座談交流會,就基礎研究及關鍵技術發(fā)展進行了探討交流。
在工作會談中,任正非簡要介紹了華為公司近年來取得的進展及未來的發(fā)展戰(zhàn)略。他表示,中科院作為國家在科學技術方面的最高學術機構(gòu),學科整體水平已進入世界先進行列,基礎研究和綜合交叉優(yōu)勢明顯,為國家發(fā)展做出了重要貢獻;建議科學家們繼續(xù)保持對科研的好奇心,國家進一步加大對數(shù)理化和化學材料等基礎研究的投入,推動產(chǎn)出更多重大科研成果;華為非常重視與中科院的合作,希望雙方在現(xiàn)有合作基礎上,針對新時期國內(nèi)國際雙循環(huán)相互促進發(fā)展的新格局,以更加開放的態(tài)度加強各個層面的科技交流,向基礎性科學技術前沿領域拓展,共同把握創(chuàng)新機遇,推動科學家思想智慧和研究成果轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟社會發(fā)展的強大動力,共同為創(chuàng)造人類美好未來做出更大貢獻。
白春禮表示,中科院與華為公司有著廣泛深厚的合作基礎,已經(jīng)開展了多層次、寬領域的務實合作,并產(chǎn)出了有顯示度的成果。他表示,作為國家戰(zhàn)略科技力量,中科院正在認真貫徹落實習近平總書記提出的“三個面向”“四個率先”要求,深入實施“率先行動”計劃;目前已完成“率先行動”計劃第一階段的總結(jié)評估,正在緊鑼密鼓地謀劃第二階段的工作,堅持問題導向、目標導向、成果導向,聚焦國家重大戰(zhàn)略需求,為促進經(jīng)濟社會發(fā)展提供有力科技支撐。他表示,華為是中國的品牌,更是民族的驕傲,取得了非凡的成就。他希望雙方繼續(xù)緊密合作,充分集聚中科院科技創(chuàng)新資源和華為企業(yè)優(yōu)質(zhì)資源,圍繞未來技術發(fā)展趨勢,探索科技前沿,共同促進經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展。
對于中國科學院院長白春禮要把美國“卡脖子”的清單變成科研任務清單進行公關的表態(tài),以及華為創(chuàng)始人兼總裁任正非突然對于中科院的拜訪,外界有網(wǎng)友猜測,華為將會與中科院攜手,攻關EUV光刻機技術。
雖然,國內(nèi)的上海微電子(SMEE)已經(jīng)有90nm光刻機,并且傳聞28nm光刻機明年就能推出。但是,其與ASML的EUV光刻機仍差距巨大。
而在此之前,業(yè)內(nèi)就已有傳聞稱華為正在研發(fā)更為先進的EUV光刻機,而中科院在光刻機的關鍵技術和器件領域早已有相關布局。比如中科院長春光機所在光刻機所需的透鏡及曝光系統(tǒng)上早已有突破,而最新的消息也顯示,長春光機所在實驗室已經(jīng)搭建出了一套EUV光源設備。
那么,華為攜手中科院,能夠在EUV光刻機上實現(xiàn)突破嗎?
對于中國光刻機未來的發(fā)展,近日一位自稱是ASML華裔工程師的網(wǎng)友在網(wǎng)上發(fā)表了自己的看法。以下為原文:
大陸的半導體代工企業(yè)大概什么時候能超過臺積電?這個問題是說十年內(nèi),二十年內(nèi)還是一百年內(nèi)?
我目前就在ASML公司工作,做的就是最新一代的EUV光刻機。這么說吧,咱們先別說把(EUV)光刻機給造出來,就是把(EUV)光刻機給用好都是一件無比復雜的事情。
臺積電算是我們的客戶,我很佩服臺積電的工程師或者說他們整個的體系。他們對光刻機的使用達到了某種讓人欽佩的高度,多的東西涉及到保密不能談。
打個比方,如果臺積電是美國海軍擁有十艘十萬噸級核動力航母,中國芯片制造商大概就是中國海軍,而且是在遼寧艦未拖進港時期的中國海軍。
你說中國會不會有朝一日造出十萬噸級別的核動力航母?這個當然有可能,但是什么時候能造出來,這個真的不好說,需要天時地利人和都具備了才行。
這些條件包括或者可能包括:
國家要下大決心,要做好十幾年甚至二十年一直虧錢的準備;外部技術封鎖要有些松動(包括各種光學器件、光刻機、光刻膠等等……);要有一流人才愿意給中國效力(比如錢學森這種大牛);需要大量從業(yè)的工程師來進行過渡;三星、Intel,臺積電的某一家要出一個大問題,倒閉或者破產(chǎn),這樣能讓出市場份額,給予中國公司發(fā)展機會;新技術恰好在國家大力投入的時候興起(實現(xiàn)彎道超車);
講句心里話,有這個錢重新在中國建立起一家臺積電一樣的公司,還不如用這個錢直接收編臺積電。從成本上來看,后者很可能更加便宜。
要我說,臺積電這種巨無霸如果不是遇到芯片制造的重大革命,或者其他危機,中國企業(yè)很難超越!
我總有一種朦朦朧朧沒有根據(jù)的感覺,我覺得未來的芯片很可能不是硅片,而是碳,是石墨烯的某種應用。
所以,如果從大的籠統(tǒng)的方面來說,中國用新的芯片制造技術超越臺積電還是可能的。
大家可能對所謂芯片制造不太了解。這么說吧,如果歐洲一夜之間蒸發(fā)了,美國想要重新造出性能相似的光刻機來,至少需要五年!
所以中國要造新型EUV光刻機并不是中國單挑美國,而是中國單挑外國!別的不說,高性能的濾光片,對極端紫外線高反射率的鍍膜,耐用的商業(yè)激光器……沒有一個是中國自己能夠造出來的!更確切的說,不是中國造不出來,而是美國有很多也造不出來!
鍍膜、濾光片、半反半投鏡……這些技術低性能也就罷了,高性能的產(chǎn)品都是一年一年試出來的,歐洲起步早,試驗的多就是世界最強!
中國起步晚,短時間內(nèi)就是造不出來。因為,沒有這些基礎器件,談造EUV光刻機就是天方夜譚!
所以造光刻機跟造航母不一樣,航母并沒有在全球的產(chǎn)業(yè)鏈里面。而光刻機是全球產(chǎn)業(yè)鏈整合出來的產(chǎn)品。針對中國的技術封鎖如果沒有松動,需要重復做的事情太多,絕非十年二十年,靠中國單打獨斗能成的。
假如大家還覺得市場、錢、政策能夠大躍進式地造出光刻機,那就是絕對錯誤的認識。
我覺得吧,承認某些東西自己確實不行,努力也不行,需要外國幫助,也不是什么壞事。盲目樂觀才會斷送自己的前程。
當然EUV作為新一代的技術能夠?qū)崿F(xiàn)7nm、5nm的光刻,雖然更加先進,但是如果真的臺積電被迫不能給中國(內(nèi)地)代工,我們依然可以使用老一點的技術。使用老一點的技術也足以保證國內(nèi)正常的需要。這也是為什么國家在這個領域沒有那么大的動力和決心的一個原因。
總之呢,EUV光刻機可以看作是美元霸權(quán)的衍生品。美元霸權(quán)還在,中國就無法在這一領域取得重大突破。當且僅當EUV光刻機所需的基礎配件能夠自由進口到中國的時候,中國才有可能在這個領域有突破。
最后,我再強調(diào)一個概念!可以商用化的產(chǎn)品跟實驗室里能夠?qū)崿F(xiàn)之間差了十萬八千里!實驗室里實現(xiàn)的意思是不考慮成本,不考慮穩(wěn)定性,能夠有那么一次或者兩次做成。
商用產(chǎn)品的概念是:穩(wěn)定、高效、可控、能賺錢!
就EUV光刻機來說,中國做得最好的大概是長春光機所,也就是搭建了一套實驗室的EUV光源設備,而且從技術的實現(xiàn)來看,他們選擇了另外一條技術路線,EUV輸出的可控性必然不足,商業(yè)化依然有巨大瓶頸。至于ASML現(xiàn)階段的技術,就算中國造出一模一樣的東西來,還有專利的麻煩在那里,要規(guī)避這一堆專利而商業(yè)化幾乎做不到。
這東西跟航母、戰(zhàn)斗機不一樣。航母,戰(zhàn)斗機你就算仿造別人的也沒法起訴侵犯專利。光刻機你要是用同樣的原理,光是賠專利侵權(quán)就要傾家蕩產(chǎn)。
總之呢,如果技術不革新,這一塊兒中國想要后來者居上幾乎做不到。至于臺積電,它是使用EUV光刻機的廠商,如果大陸都沒有EUV光刻機可用,談什么超越臺積電呢?
評論