TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布,推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ,器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝,10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí),經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來(lái)提高功率密度,占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導(dǎo)通電阻的器件減小65 %。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202009/418674.htm日前發(fā)布的TrenchFET? 第四代功率MOSFET典型導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低20 %,FOM比上一代解決方案低17 %。這些指標(biāo)降低了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,從而節(jié)省能源。外形緊湊的靈活器件便于設(shè)計(jì)師取代相同導(dǎo)通損耗,但體積大的MOSFET,節(jié)省PCB空間,或尺寸相似但導(dǎo)通損耗高的MOSFET。
SiSS94DN適用于隔離式DC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)原邊開(kāi)關(guān)和同步整流,包括通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)外設(shè)、消費(fèi)電子; 筆記本電腦、LED電視、車輛船舶LED背光;以及GPS、工廠自動(dòng)化和工業(yè)應(yīng)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、負(fù)載切換和功率轉(zhuǎn)換。
器件經(jīng)過(guò)100 % RG和UIS測(cè)試,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素。
SiSS94DN現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為12周。
評(píng)論