TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
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日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導(dǎo)通電阻的器件減小65 %。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202009/418674.htm日前發(fā)布的TrenchFET? 第四代功率MOSFET典型導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低20 %，FOM比上一代解決方案低17 %。這些指標(biāo)降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而節(jié)省能源。外形緊湊的靈活器件便于設(shè)計(jì)師取代相同導(dǎo)通損耗，但體積大的MOSFET，節(jié)省PCB空間，或尺寸相似但導(dǎo)通損耗高的MOSFET。
SiSS94DN適用于隔離式DC/DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)原邊開關(guān)和同步整流，包括通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)外設(shè)、消費(fèi)電子； 筆記本電腦、LED電視、車輛船舶LED背光；以及GPS、工廠自動(dòng)化和工業(yè)應(yīng)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、負(fù)載切換和功率轉(zhuǎn)換。
器件經(jīng)過100 % RG和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。
SiSS94DN現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。
評(píng)論