Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能

半導體基礎元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點關(guān)注動力系統(tǒng)應用。該技術(shù)已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關(guān)斷時間（高達4倍）外，該技術(shù)還能通過減少BOM數(shù)量簡化設計。 

在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結(jié)構(gòu)進行構(gòu)建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關(guān)斷期間來自感性負載電流的能量。這種設計與主動鉗位方案的效率相當，能夠消除對于二極管和其他器件的需求，從而最大程度地減少器件數(shù)量并降低電路復雜性。此外，這種設計還能支持更快的關(guān)斷時間，進而提高電磁閥和繼電器等機電器件的可靠性。通常來講，這種設計只能使用基于陳舊平面技術(shù)的器件。Nexperia汽車重復雪崩ASFET產(chǎn)品系列專為解決此問題而開發(fā)，能夠提供經(jīng)過十億個周期測試的可靠重復雪崩功能。  此外，與升壓拓撲相比，這一產(chǎn)品系列可以減少多達15個板載器件，將器件管腳尺寸效率提高多達30%，從而簡化設計。

新的MOSFET在175°C時完全符合AEC-Q101汽車標準，提供40 V和60 V選項，典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。所有器件均采用公司節(jié)省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾片封裝技術(shù)。該封裝堅固可靠，配備鷗翼引腳，實現(xiàn)出色的板級可靠性，并兼容自動光學檢查(AOI)，提供出色的可制造性。

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Richard Ogden解釋說：“通常，希望實現(xiàn)重復雪崩拓撲的工程師不得不依賴基于陳舊平面半導體技術(shù)的器件。通過在更高性能硅結(jié)構(gòu)的基礎上，提供具有可靠重復雪崩功能的汽車級器件，就能增加利用其功能優(yōu)勢而設計的動力總成數(shù)量?！?

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Nexperia于2020年初推出了專用FET (ASFET)系列，旨在滿足業(yè)界對于最大化性能的需求。ASFET的MOSFET參數(shù)針對特定應用進行了優(yōu)化。通過專注于特定的應用，可實現(xiàn)顯著的改進。其他ASFET系列適用于熱插拔、以太網(wǎng)供電(PoE)、電池保護和電機控制應用。