新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 臺積電與三星3nm開發(fā)遇阻 量產(chǎn)時間或?qū)⑼七t

臺積電與三星3nm開發(fā)遇阻 量產(chǎn)時間或?qū)⑼七t

作者: 時間:2021-01-05 來源:ZOL 收藏

據(jù)臺媒報道,業(yè)內(nèi)人士透露,目前FinFET和GAA在工藝的開發(fā)過程中都遇到了瓶頸。因此二者制程工藝的開發(fā)進(jìn)度都將放緩。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202101/421801.htm

此前,按公布的計劃,將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn),2022年投入大規(guī)模量產(chǎn),甚至業(yè)界有傳聞稱蘋果已率先包下3nm初期產(chǎn)能,成為臺積電3nm的第一批客戶。

此前業(yè)界預(yù)計臺積電和的3nm工藝都會在2022年實現(xiàn)量產(chǎn),而臺積電有望領(lǐng)先至少半年。

此前臺積電曾宣稱,其3nm工藝會比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%,功耗將降低20%-25%。

臺積電2020年營收持續(xù)創(chuàng)新高,臺積電董事長劉德音此前曾表示,為提前布局3nm,臺積電已累計投資超過2萬億元新臺幣,目標(biāo)是3nm量產(chǎn)時,12 英寸晶圓月產(chǎn)能超過60萬片。而為了爭奪市場,三星晶圓代工業(yè)務(wù)準(zhǔn)備投入1160億美元,以實現(xiàn)在3nm工藝上趕超臺積電。

雖然三星和臺積電都在研發(fā)3nm工藝,但兩者采用的技術(shù)并不相同,臺積電采用了成熟的鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)(FinFET),而三星則采用了環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA)。



關(guān)鍵詞: 臺積電 三星 3nm

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉