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2021年DRAM與NAND增長快,美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

—— 訪美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana
作者:王瑩 時間:2021-02-02 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

近日,美光在業(yè)界率先推出 1α 制程技術(shù)。值此機會,該公司舉辦了線上媒體溝通會,執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對、的市場預(yù)測,以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202102/422618.htm

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執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana

1   2021年將增長19%

展望2021年,全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測,半導體產(chǎn)業(yè)預(yù)計增長可達12%,整個半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中,內(nèi)存與存儲預(yù)計增長可達19%,增度遠超整體半導體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存與存儲技術(shù)的產(chǎn)值將會達到1460億美元(注:這里的內(nèi)存是指DRAM,存儲是指,并沒有涉及SSD硬盤。)。在內(nèi)存與存儲技術(shù)領(lǐng)域,DRAM比NAND增速更快。

展望下一個10年,半導體產(chǎn)業(yè)的增長將會比全球GDP的增長更快。而且在半導體產(chǎn)業(yè)中,內(nèi)存與存儲技術(shù)相關(guān)的領(lǐng)域,即DRAM和NAND是增長最快的,實際上,內(nèi)存與存儲在過去20年中也都是半導體產(chǎn)業(yè)增長最快的領(lǐng)域。

當前的產(chǎn)業(yè)趨勢帶給內(nèi)存(DRAM)和存儲(NAND)很多新的機會。

首先云端的增長非??臁F浯芜€有智慧邊緣,會有數(shù)十億的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。另外是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和智慧汽車等。再有,全球正在部署5G基礎(chǔ)建設(shè),也有越來越多的設(shè)備連接到5G,這是一個能持續(xù)多年的增長機會。

2   DRAM供不應(yīng)求,NAND產(chǎn)能穩(wěn)定

現(xiàn)在的經(jīng)濟受到不同因素的影響,其中也包括此次新冠疫情的影響。這些影響的結(jié)果是很多科技的發(fā)展加速了。例如以前認為需要2~4年才能發(fā)展起來的技術(shù),現(xiàn)在1年內(nèi)就發(fā)生了。另外,電子商務(wù)在全球都有長足的進展,現(xiàn)在有越來越多的人需要購置筆記本電腦、顯示屏等,來讓他們可以在家工作、上學。

疫情伊始,來自汽車和智能手機行業(yè)的需求是下降的。但是到后來,這方面的需求也大幅度復(fù)蘇?,F(xiàn)在看到汽車客戶、PC客戶、游戲機等對半導體有非常強勁的需求。

預(yù)計未來的需求會增長得非常快,可能會超過業(yè)界能夠供應(yīng)的能力,因此影響了供需平衡。例如美光,在某些DRAM方面出現(xiàn)了緊缺的現(xiàn)象,一些運營受到了影響。例如在2021年的第一季度,已經(jīng)看到某些DRAM產(chǎn)品的價格有所上漲。預(yù)計整個2021年,這種需求上升的趨勢會持續(xù)下去,所以供給緊俏的現(xiàn)象還會持續(xù)下去。

NAND的情況不太相同,目前市場上的供應(yīng)還是充足的。不過NAND也會出現(xiàn)價格彈性,即市場會自行調(diào)節(jié),可能NAND的產(chǎn)能也會有所調(diào)整。預(yù)計2021年整年下來,NAND的產(chǎn)能也會穩(wěn)定下來。

3   美光資本支出的重點

美光近期公布了營收報告,財報數(shù)字遠超出此前給投資人參考的數(shù)字。美光對2021年的預(yù)期是,DRAM的增長會在15%以上,NAND的增長預(yù)計在30%左右。

美光預(yù)計2021年度資本支出90億美元,包括DRAM和NAND等。此外,一部分資本支出也會在有更多的晶圓廠、潔凈室方面。還有一部分的資本支出會用來擴充美光內(nèi)部做封測的設(shè)施;除了自有的封測產(chǎn)能之外,其他部分會依靠合作商。

值得說明的是,美光十分重視研發(fā)方面的投入,即使產(chǎn)業(yè)比較低迷的時候,例如2019年、2020年,依然大力投資,而且還增加了在研發(fā)方面的投入。

4   美光領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品

正因為美光大幅提高了在研發(fā)方面的投資,所以如今才能取得業(yè)界領(lǐng)先的地位。不管NAND的技術(shù)或DRAM的技術(shù),美光都有業(yè)界突破性的技術(shù),也是最先將這些技術(shù)量產(chǎn)的公司。

例如1α的DRAM制程,176層的3D NAND。此外,美光的領(lǐng)先地位也展現(xiàn)在其他領(lǐng)域,例如GDDR6X顯卡內(nèi),還有QLC(四層單元)產(chǎn)品。

在美光超過40年的歷史中,現(xiàn)在是史上首次,在DRAM和NAND技術(shù)上同時實現(xiàn)了領(lǐng)先,因為在先進制程的量產(chǎn)部分都走在業(yè)界前面。

1)DRAM

美光是業(yè)界在業(yè)界率先使用1z nm制程并實現(xiàn)量產(chǎn)的公司(2019年8月),又于2021年1月27日宣布使用1α制程技術(shù)的DRAM也正式開始量產(chǎn),由美光在臺灣地區(qū)的DRAM工廠生產(chǎn)。

1α DRAM制程技術(shù)是目前全球最先進的制程節(jié)點技術(shù),其應(yīng)用非常廣泛,可以使用在美光不同的產(chǎn)品組合中。相比于前一代的制程技術(shù)1z nm,內(nèi)存密度可以提升40%以上。在低功耗應(yīng)用領(lǐng)域也有非常好的表現(xiàn),非常適合用在智能手機的DRAM中。

美光有一個發(fā)展藍圖,從1α到1β、1γ、1δ,都處在不同的研發(fā)階段。

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在技術(shù)方面,美光會持續(xù)開發(fā)低功耗產(chǎn)品。除此之外,美光也會使用高- k CMOS來提供產(chǎn)品。另外也將持續(xù)評估,也許在未來會使用到EUV(極紫外光)的機臺來生產(chǎn)產(chǎn)品。

不過目前,美光仍在采用多重曝光浸潤式光刻技術(shù),且認為該技術(shù)非常成熟,不需要過早引進EUV機臺。

2)NAND

美光于2020年底宣布推出了176層的3D NAND,這是業(yè)界量產(chǎn)中最先進的NAND的制造技術(shù)。其裸片尺寸比同類最佳競品小30%,同時功耗比競爭對手低,能效卻比競爭對手高。如此先進的NAND制程技術(shù)可用于5G手機。

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此外,NAND技術(shù)的價值一樣可以應(yīng)用在SSD(固態(tài)硬盤)方面,不同的存儲設(shè)備都可以使用到:可以把它應(yīng)用在筆記本電腦、客戶端設(shè)備或者平板電腦、服務(wù)器,或者其他云端使用的存儲設(shè)備等。當人們從云端去下載影片、視頻的時候,可以享受非常快的響應(yīng)速度。而且這些一樣是低功耗、高能效的產(chǎn)品。

    美光最新的176層3D NAND技術(shù),結(jié)合了第二代的替換柵極、電荷捕獲以及CMOS 陣列下 (CMOS-under-array, CuA) 架構(gòu)。而美光的某些競爭對手,連第一代的CuA架構(gòu)還沒有做出來。

此外,美光的NAND也可以使用在QLC 的技術(shù)方面,即每個單元存儲4個bit數(shù)據(jù)。2020年第四季度有近半數(shù)的SSD客戶使用了這種最新的QLC技術(shù)。

3)產(chǎn)品組合

美光的產(chǎn)品組合非常豐富、廣泛。最新產(chǎn)品如下。

●   在運算架構(gòu)中級別最高的內(nèi)存是高帶寬的內(nèi)存,主要用于AI和機器學習,這種高帶寬的內(nèi)存簡稱HBM2E,美光已經(jīng)量產(chǎn)。另一類型的內(nèi)存是顯卡內(nèi)存,主要與GPU聯(lián)用,例如和英偉達或AMD的產(chǎn)品聯(lián)用,2020年9月推出GDDR6X,系統(tǒng)帶寬實現(xiàn) 1 TB/秒。助力英偉達實現(xiàn)突破性的游戲速度(如下圖)。

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●   美光核心的Flash產(chǎn)品,以及DDR4、DDR5(注:迄今為止最先進的 DRAM技術(shù))的產(chǎn)品適合用在計算領(lǐng)域,另外還有低功耗的系列適合移動設(shè)備。Flash可以分成幾類,諸如TLC(每個單元存儲3 bit數(shù)據(jù)),QLC。另外有針對移動設(shè)備/智能手機的產(chǎn)品。此外,SSD可以服務(wù)于不同的計算領(lǐng)域,無論是消費類產(chǎn)品、客戶端產(chǎn)品,還是數(shù)據(jù)中心。

此外,美光還有安全技術(shù)——Authenta技術(shù)。美光也在這方面與生態(tài)系統(tǒng)里的伙伴一起合作。

另外,美光最近展示了世界上最快的SSD存儲設(shè)備,使用的是3D XPoint的技術(shù),可以衍生出很多新應(yīng)用,使今后內(nèi)存與存儲兩者之間的界限越來越模糊。

美光認為未來的需求會增長的非常快,可能會超過業(yè)界能夠供應(yīng)的能力。美光認為在2021年接下來幾個月,可能不只會有短缺的問題,而且隨著疫苗接種越來越廣泛,當經(jīng)濟復(fù)蘇、增長較快的時候,可能需求增長的速度會超過供應(yīng)能夠跟上的速度。

5   關(guān)注中國市場

中國本土企業(yè)也在大力發(fā)展國產(chǎn)存儲芯片,搶灘NAND市場。對于業(yè)界的發(fā)展,美光當然是密切關(guān)注。

美光認為,做好存儲器,不只是設(shè)計技術(shù)的發(fā)展,也需要去關(guān)注制程技術(shù),以及是不是能夠大規(guī)模量產(chǎn),量產(chǎn)的可靠性如何,是不是能夠符合客戶所期待和所要求的品質(zhì)等。因為畢竟這些是量很大的產(chǎn)品,你需要有極大的規(guī)模,同時要能夠提供客戶所需要的品質(zhì)。

美光正持續(xù)地與中國大陸的客戶密切合作,在不同領(lǐng)域有非常多的客戶,包括智能手機和服務(wù)器、PC、消費類的設(shè)備,還有工業(yè)以及汽車業(yè)的客戶等。例如2021年1月,美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技(聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機構(gòu))成立聯(lián)合實驗室。其特別之處在于:美光第一次同時與OEM(原廠)、ODM(委托設(shè)計)廠商合作。該合作伙伴關(guān)系會涵蓋到美光不同的產(chǎn)品組合,例如核心運算用的DRAM、低功耗DRAM、顯示內(nèi)存DRAM,以及第四代的NVMe的SSD產(chǎn)品。

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圖 美光DDR5



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