貿(mào)澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 賦能4G和5G通信應(yīng)用

專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始備貨Qorvo^? QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優(yōu)異，可為5G大規(guī)模MIMO、LTE和WCDMA系統(tǒng)中的蜂窩基站和射頻應(yīng)用提供支持。

貿(mào)澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對(duì)稱(chēng)雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓，以及高達(dá)13.3 dB的增益，并能在Doherty設(shè)計(jì)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)高達(dá)90 W的超高效信號(hào)峰值功率。

為了便于開(kāi)發(fā)，Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評(píng)估板。此平臺(tái)包括一個(gè)示例應(yīng)用電路，在與現(xiàn)有設(shè)計(jì)結(jié)合使用時(shí)可加快原型設(shè)計(jì)速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區(qū)和微小區(qū)基站、有源天線(xiàn)以及非對(duì)稱(chēng)Doherty設(shè)計(jì)等應(yīng)用。

作為全球授權(quán)分銷(xiāo)商，貿(mào)澤電子庫(kù)存有豐富的半導(dǎo)體和電子元器件，并積極引入原廠(chǎng)新品，支持隨時(shí)發(fā)貨。貿(mào)澤旨在為客戶(hù)供應(yīng)全面認(rèn)證的原廠(chǎng)產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。為幫助客戶(hù)加速設(shè)計(jì)，貿(mào)澤網(wǎng)站提供了豐富的技術(shù)資源庫(kù)，包括技術(shù)資源中心、產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)、供應(yīng)商特定參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計(jì)信息、設(shè)計(jì)工具以及其他有用的信息。