傳聯(lián)電擬斥資1000億新臺幣在新加坡建新12英寸晶圓廠

　　集微網(wǎng)消息，近日市場有消息稱聯(lián)電計劃投資逾1000億元新臺幣在新加坡建設(shè)第二座12英寸晶圓廠，月產(chǎn)能至少2萬~3萬片，或生產(chǎn)40nm以下制程的芯片。

　　據(jù)鉅亨網(wǎng)報道，聯(lián)電對此回應(yīng)稱，新加坡本來就有設(shè)廠，在全球有據(jù)點的地方持續(xù)評估建廠規(guī)劃，不過目前還沒有確切地點。

　　據(jù)了解，聯(lián)電新加坡廠Fab 12i位于白沙晶圓科技園區(qū)，于2004年開始量產(chǎn)，月產(chǎn)能為5萬片，制程為0.13微米至40nm，產(chǎn)品涵蓋FPGA、無線通訊芯片等。

　　業(yè)界人士認(rèn)為，聯(lián)電此次可能采40nm以下制程，如28nm制程生產(chǎn)芯片。

　　據(jù)悉，晶圓代工產(chǎn)能持續(xù)供不應(yīng)求，聯(lián)電5月1日、7月1日代工報價已漲過兩波。由于產(chǎn)能不足，聯(lián)電計劃擴(kuò)充在臺南科學(xué)園區(qū)Fab 12A P6廠區(qū)產(chǎn)能，將采用28nm制程，月產(chǎn)能2.75萬片，客戶將以議定價格預(yù)先支付訂金，預(yù)計新產(chǎn)能將于2023年第2季度開出。