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環(huán)球晶圓40億美元建廠,獲美國至多4億美元補助

作者: 時間:2024-07-19 來源:SEMI 收藏

當(dāng)?shù)貢r間7月17日,美國商務(wù)部宣布與全球第三大半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商(GlobalWafers)簽署了不具約束力的初步備忘錄(PMT)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202407/461181.htm

承諾在美國投資約40億美元(約合人民幣290億元)建設(shè)兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向提供至多4億美元(約合人民幣29億元)的《芯片法案》直接補助,以加強半導(dǎo)體元件供應(yīng)鏈。

據(jù)悉,環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠,在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅(“SOI”)晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表示:德州新廠第一階段投資額約22億美元,與第二階段將相連的部分也預(yù)先施作,密蘇里新廠的第一階段投資額不到4億美元。而至多4億美元的補貼資金,超過九成將投向德州新廠。

此外,作為PMT的一部分,環(huán)球晶圓計劃將其位于德克薩斯州謝爾曼的現(xiàn)有硅外延晶圓制造工廠的一部分轉(zhuǎn)換為(“SiC”)外延晶圓制造,生產(chǎn)150mm和200mm SiC外延晶圓。



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