Innolink-國產(chǎn)首個物理層兼容UCIe標準的Chiplet解決方案

2022年3月，芯片制造商英特爾、臺積電、三星聯(lián)合日月光、AMD、ARM、高通、谷歌、微軟、Meta(Facebook)等十家行業(yè)巨頭共同推出了全新的通用芯片互聯(lián)標準——UCle。

幾乎與此同時，中國IP和芯片定制及GPU賦能型領軍企業(yè)芯動科技宣布率先推出國產(chǎn)自主研發(fā)物理層兼容UCIe標準的IP解決方案-Innolink? Chiplet，這是國內首套跨工藝、跨封裝的Chiplet連接解決方案，且已在先進工藝上量產(chǎn)驗證成功！

▲ Innolink? Chiplet架構圖

隨著高性能計算、云服務、邊緣端、企業(yè)應用、5G通信、人工智能、自動駕駛、移動設備等應用的高速發(fā)展，算力、內存、存儲和互連的需求呈現(xiàn)爆炸式增長。但同時，先進工藝芯片迭代也面臨著開發(fā)難度大、生產(chǎn)成本高、良品率低的窘境，即先進制程工藝下芯片面臨著性能與成本的矛盾，Chiplet技術在這一背景下得到快速發(fā)展。

▲ 制程工藝發(fā)展和晶體管密度增加導致開發(fā)成本急劇上升

Chiplet技術的核心是多芯粒(Die to Die)互聯(lián)，利用更短距離、更低功耗、更高密度的芯片裸die間連接方式，突破單晶片(monolithic)的性能和良率瓶頸，降低較大規(guī)模芯片的開發(fā)時間、成本和風險，實現(xiàn)異構復雜高性能SoC的集成，滿足不同廠商的芯粒之間的互聯(lián)需求，達到產(chǎn)品的最佳性能和長生命周期。

▲ Chiplet核心技術是多芯粒互聯(lián)

近年，AMD、蘋果和英偉達等國際巨頭都發(fā)布了標志性的Chiplet旗艦產(chǎn)品，并在各個應用領域取得極大成功，進一步驗證了Chiplet技術的可行性和發(fā)展前景，使得Chiplet互聯(lián)這一核心技術日益受到市場追捧！

▲ 多芯?；ヂ?lián)的Chiplet技術是實現(xiàn)高性能異構系統(tǒng)的發(fā)展趨勢

▲ 蘋果自研M1 Ultra芯片應用Chiplet技術實現(xiàn)性能翻倍

Chiplet早期發(fā)展協(xié)議混亂 各公司制定自己的私有標準

此前，眾多的芯片廠商都在推自己的互聯(lián)標準，比如Marvell在推出模塊化芯片架構時采用了Kandou總線接口；NVIDIA擁有用于GPU的高速互聯(lián)NV Link方案；英特爾推出了EMIB (Embedded Die interconnect bridge)接口；臺積電和Arm合作搞了LIPINCON協(xié)議；AMD也有Infinity Fabrie總線互聯(lián)技術等等。芯動科技奮起直追緊隨其后，2020年在國內率先推出自主研發(fā)的Innolink? Chiplet標準并實現(xiàn)授權量產(chǎn)。

Chiplet技術核心就是Die to Die互聯(lián)，實現(xiàn)大帶寬下的多芯片算力合并，形成多樣化、多工藝的芯片組合。顯然，如果各家芯片廠商都在推自己的標準，這將導致不同廠商的Chiplet之間的互聯(lián)障礙，限制Chiplet的發(fā)展。因此，實現(xiàn)各個芯粒之間高速互聯(lián)，需要芯片設計公司、EDA廠商、Foundry、封測廠商等上下游產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)調配合、建立統(tǒng)一的接口標準，從而實現(xiàn)Chiplet技術的量產(chǎn)應用并真正降低成本，加速整個Chiplet生態(tài)的發(fā)展。于是，UCIe標準應運而生。

UCIe的建立將有力推動Chiplet連接標準發(fā)展

前不久，UCIe標準發(fā)布引起了業(yè)界高度關注與熱議，因為這是由一條比較完整的產(chǎn)業(yè)鏈提出的開放的、可互操作性的標準，能有效解決當前先進工藝芯片產(chǎn)業(yè)上下游發(fā)展的難題，降低成本、提升性能。

Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe)? 是一個開放的、行業(yè)通用的Chiplet（芯粒）的高速互聯(lián)標準，由英特爾、AMD、ARM、高通、三星、臺積電、日月光、Google 、Meta、微軟等十大行業(yè)巨頭聯(lián)合推出。它可以實現(xiàn)小芯片之間的封裝級互連，具有高帶寬、低延遲、低成本、低功耗等優(yōu)點，能夠滿足包括云端、邊緣端、企業(yè)級、5G、汽車、高性能計算和移動設備等在內的整個計算領域，對算力、內存、存儲和互連日益增長的高需求。通俗來講，UCIe是統(tǒng)一標準后的Chiplet，具有封裝集成不同Die的能力，這些Die可以來自不同的晶圓廠，也可以是采用不同的設計和封裝方式。

Innolink? Chiplet方案解讀

▲ 芯動Chiplet架構師高專講演Innolink? Chiplet方案

就在Ucle標準發(fā)布后兩周，芯動科技就宣布推出首個國產(chǎn)自主研發(fā)物理層兼容UCIe標準的IP解決方案-Innolink? Chiplet。芯動Chiplet架構師高專表示：芯動在Chiplet技術領域積累了大量的客戶應用需求經(jīng)驗，并且和臺積電、intel、三星、美光等業(yè)界領軍企業(yè)有密切的技術溝通和合作探索，兩年前就開始了Innolink? 的研發(fā)工作，率先明確Innolink B/C基于DDR的技術路線，并于2020年的Design Reuse全球會議上首次向業(yè)界公開Innolink A/B/C技術。

得益于正確的技術方向和超前的布局規(guī)劃，Innolink? 的物理層與UCIe的標準保持一致，成為國內首發(fā)、世界領先的自主UCIe Chiplet解決方案。

▲ Innolink A/B/C實現(xiàn)方法

Innolink? Chiplet的設計思路和技術特點：

1.業(yè)界很多公司認為Chiplet跨工藝、跨封裝的特性，會使其面臨復雜的信號衰減路徑，所以普遍使用SerDes差分技術以應對這一問題。芯動基于對Chiplet應用場景和技術趨勢的深刻理解，以及在DDR技術領域的絕對領先，認為相較于SerDes路線，DDR技術更適合Chiplet互聯(lián)和典型應用，而且不同封裝場景需要用到不同的DDR技術方案。

2.Chiplet(Die to Die) 在短距PCB、基板、Interposer上連接時，路徑短、干擾少、信號完整性好，此時采用DDR技術路線在延時功耗和帶寬密度上更具優(yōu)勢。在短距離PCB、 基板、Interposer平臺上，DDR對比SerDes的優(yōu)勢如下：

Chiplet的核心目標就是高密度和低功耗，DDR技術滿足多芯?；ヂ?lián)的高密度、低功耗、低延遲等綜合需求，可使多芯粒像單芯粒一樣工作，單芯?？偩€延展至多芯粒。因此，芯動綜合考慮SerDes和DDR的技術特點，在Innolink-B/C 采用了DDR的方式實現(xiàn)，提供基于GDDR6/LPDDR5技術的高速、高密度、高帶寬連接方案。

3.標準封裝使用MCM傳統(tǒng)基板作為Chiplet互聯(lián)的介質，具備成本便宜等特點，是對成本較為敏感的Chiplet應用場景首選；先進封裝如Interposer，具備密度高、良品率低、成本高等特點，則是對價格不敏感的高性能應用場景首選。在UCIe定義正式發(fā)布前，Innolink-B/C就提前實現(xiàn)了這兩種封裝場景的應用，驗證了其對市場前景和Chiplet技術趨勢的準確判斷。

▲UCIe定義不同封裝標準的主要性能指標

4.針對長距離PCB、線纜的Chiplet連接，Innolink-A提供基于SerDes差分信號的連接方案，以補償長路徑的信號衰減。

5.總的來看，Innolink-A/B/C實現(xiàn)了跨工藝、跨封裝的Chiplet量產(chǎn)方案，成為業(yè)界領先！圍繞著Innolink? Chiplet IP技術，芯動同時還提供封裝設計、可靠性驗證、信號完整性分析、DFT、熱仿真、測試方案等整套解決方案！

▲ Innolink? Chiplet的設計包含了UCIe的Chiplet連接先進、標準封裝定義

圖中顯示UCIe分了3個層次，Protocol Layer協(xié)議層、die to die Adapter互聯(lián)層、Physical Layer物理層。其中協(xié)議層就是常用的PCIE、CXL等上層協(xié)議，底層的Die to Die和PHY物理層，即是和Innolink?同樣的實現(xiàn)方式。

總結：芯動準確地把握了Chiplet技術方向，并前瞻性地完成設計驗證，與后來推出的UCIe技術方向一致，為Innolink? 兼容UCIe標準奠定基礎，成為業(yè)界領先方案。

這聽起來像押中高考大題的故事，其實Innolink?背后的技術極為復雜，正因為芯動掌握了高速SerDes、GDDR6/6X、LPDDR5/DDR5、HBM3、基板和Interposer設計方案、高速信號完整性分析、先進工藝封裝、測試方法等等世界領先的核心技術，并且經(jīng)過大量客戶需求落地和量產(chǎn)驗證迭代。博觀而約取，厚積而薄發(fā)，“押中題”無疑是是芯動技術團隊長期投入和耕耘的成果!