揚(yáng)杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用SGT工藝

4月8日消息，揚(yáng)杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品，采用先進(jìn)的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工藝，針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS等應(yīng)用設(shè)計(jì)，優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時(shí)，提升MOSFET抗沖擊電流能力。

N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等，是其核心的功率控制部件。

揚(yáng)杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多個(gè)SGT工藝系列產(chǎn)品，解決客戶(hù)的多種應(yīng)用需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.采用SGT工藝，極低的Rdson和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性，帶來(lái)更低的FOM，減小系統(tǒng)損耗。

2. 和傳統(tǒng)Trench工藝比Ciss/Qg參數(shù)都有大幅優(yōu)化，設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)時(shí)有更多選擇。

3.針對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用中的各種異常工作狀態(tài)，優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS特性，提高系統(tǒng)可靠性。

電性參數(shù)：