美日連手將成立新的聯(lián)合國際半導體研究中心

日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一（Koichi Hagiuda）今天在華盛頓的記者會指出，美日已決定成立一個新的聯(lián)合國際半導體研究中心。

路透社報導，美日在經(jīng)濟會談中同意，將共同研發(fā)次世代半導體，以建立這種重要組件一個安全的來源。

美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）表示，雙方今天深入討論「有關日本和美國如何進行合作，尤其是在先進半導體方面」。

「日經(jīng)亞洲」（Nikkei Asia）稍早報導，日本將于今年底之前與美國合作開設一個次世代2奈米芯片研發(fā)中心，這是兩國致力建構安全芯片供應鏈行動的一環(huán)。

美日計劃研究尖端2奈米半導體，能以更少電力發(fā)揮更高效能。這個研發(fā)中心將具備原型生產(chǎn)線，目標是最早于2025年開始在國內量產(chǎn)。