臺(tái)積電先進(jìn)封裝受追捧，消息稱(chēng)英偉達(dá)高端芯片有意采用 SoIC 技術(shù)

IT之家 8 月 31 日消息，DigiTimes 稱(chēng)，目前英偉達(dá)正加緊與臺(tái)積電在高端芯片上的合作。消息人士稱(chēng)，英偉達(dá)正考慮 HPC 芯片采用臺(tái)積電的 SoIC 技術(shù)。

隨著摩爾定律即將面臨物理極限，囊括小芯片（Chiplet）、異質(zhì)整合的先進(jìn)封裝技術(shù)，在高效運(yùn)算（HPC）芯片領(lǐng)域的話題火熱程度，從 2022 年 8 月下旬的 Hot Chips 大會(huì)一路延續(xù)至今...

據(jù)公開(kāi)資料，SOIC（Small Outline Integrated Circuit Package）即小外形集成電路封裝，指外引線數(shù)不超過(guò) 28 條的小外形集成電路，由 SOP (Small Out-Line Package）封裝派生而來(lái)，一般有寬體和窄體兩種封裝形式，是表面貼裝集成電路封裝形式中的一種，它比同等的 DIP 封裝減少約 30-50% 的空間，厚度方面減少約 70%。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SoIC 是一種臺(tái)積電創(chuàng)新的多芯片堆棧技術(shù)，能對(duì) 10nm 以下的制程進(jìn)行晶圓級(jí)的接合技術(shù)。該技術(shù)沒(méi)有突起的鍵合結(jié)構(gòu)，因此有更佳的性能。

HPC 設(shè)計(jì)通常使用各種封裝類(lèi)型的小芯片。MCM 是更小、低功耗設(shè)計(jì)的理想選擇。2．5D 設(shè)計(jì)適用于人工智能（AI）工作負(fù)載，因?yàn)榕c HBM 緊密連接的 GPU 在計(jì)算能力和內(nèi)存容量方面提供了強(qiáng)大的組合。3D IC 具有垂直堆疊的 CPU 和快速的內(nèi)存訪問(wèn)，是一般 HPC 工作負(fù)載的理想選擇。

臺(tái)積電 HPC 業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)主管表示，臺(tái)積電預(yù)計(jì)未來(lái)至少到 2025 年 HPC 都將持續(xù)為最強(qiáng)勁增長(zhǎng)平臺(tái)。臺(tái)積電定義的 HPC 領(lǐng)域包含 CPU、GPU 和 AI 加速器。

此外，臺(tái)積電 HPC 業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)主管除了重申臺(tái)積電 5 納米家族量產(chǎn)第三年持續(xù)強(qiáng)勁，還分享了臺(tái)積電 5 納米家族延伸的 N4X 與 N4P 獲得許多客戶(hù)青睞，并稱(chēng)臺(tái)積電 3 納米下半年投產(chǎn)。

IT之家了解到，今年 4 月，臺(tái)積電表示其今年 Q1 來(lái)自 HPC 的營(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá) 41％，首次超越手機(jī)成為最大營(yíng)收來(lái)源。

供應(yīng)鏈也傳出消息，英偉達(dá)內(nèi)部預(yù)計(jì) HPC 芯片業(yè)績(jī)年增長(zhǎng)將達(dá)到 200～250％左右，若進(jìn)度順利，最快可在第 3 季度左右推出采用 5nm 強(qiáng)化版的新產(chǎn)品。