無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計算SoC問世：功耗低至1毫安

臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當前最先進的半導體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn)，國產(chǎn)半導體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內(nèi)計算SoC。

存內(nèi)計算是一種新型架構的芯片，相比當前的計算芯片采用馮諾依曼架構不同， 存內(nèi)計算是計算與數(shù)據(jù)存儲一體，可以解決內(nèi)存墻的問題，該技術60年代就有提出，只是一直沒有商業(yè)化。

知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計算SoC芯片，擁有高算力存內(nèi)計算核，相對于NPU、DSP和MCU計算平臺，其AI算力提高了10-200倍。

據(jù)該公司創(chuàng)始人、CEO王紹迪介紹，這款芯片是知存科技首次嘗試在低功耗場景下量產(chǎn)的存內(nèi)計算芯片，一般運行功耗在1毫安至5毫安之間。