銀河微電：功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動平臺表示，功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來將根據(jù)市場情況逐步系列化；DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開發(fā)目標要求；CSP0603封裝已完成技術開發(fā)，未來芯片線改擴建時將進行成果轉(zhuǎn)化。