貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202304/445523.htm
可再生能源和大功率工業(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大柵極至源極電壓 (VGS) 范圍為-15V至+25V，適用于柵極電壓達(dá)到-10V的快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，從而提高系統(tǒng)可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A測(cè)試條件下的柵極電荷 (Qg) 僅為200nC，在快速開(kāi)關(guān)、大功率可再生能源應(yīng)用中具有很高的效率。
NDSH25170A和NDSH10170A EliteSiC肖特基二極管的額定BV為1700V，在最大反向電壓 (VRRM) 和重復(fù)峰值反向電壓之間具有更大的容限。這些器件還使設(shè)計(jì)人員能夠在高溫下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高壓操作，并且不會(huì)影響SiC的高效率。
無(wú)論是電動(dòng)汽車(chē)充電站、利用可再生能源的電網(wǎng)，還是高壓/大電流的工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，安森美EliteSiC都能實(shí)現(xiàn)出色的效率，并降低功率損耗。
貿(mào)澤在過(guò)去兩年中提供了超122,000個(gè)新物料編號(hào)。
評(píng)論