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英特爾 CPU 將采用 3D-Stacked 緩存,挑戰(zhàn) AMD 3D V-Cache

作者: 時(shí)間:2023-09-20 來(lái)源:IT之家 收藏

IT之家 9 月 20 日消息, CEO 帕特?基辛格在 2023 創(chuàng)新活動(dòng)后的媒體問答環(huán)節(jié)中透露了許多關(guān)鍵信息。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202309/450741.htm

他證實(shí),雖然不會(huì)直接像 AMD 那樣采用 3D 緩存,但他們同樣將使用堆疊緩存技術(shù),但這項(xiàng)技術(shù)不會(huì)與 Meteor Lake 一起推出。

基辛格表示:“當(dāng)你提到 V-Cache 時(shí),你指的是 TSMC 與其一些客戶合作的一項(xiàng)特定的技術(shù)。顯然,我們?cè)跇?gòu)成上有所不同,對(duì)吧?而那種特定類型的技術(shù)不是 Meteor Lake 的一部分,但在我們的路線圖上,你看到了我們將在一個(gè)芯片上加入緩存的想法,我們將在其堆疊芯片上進(jìn)行 計(jì)算,而這顯然就能夠使用 EMIB 和 Foveros 來(lái)組合成不同的功能。”

“我們對(duì)自己在下一代內(nèi)存架構(gòu)方面擁有先進(jìn)的技術(shù)非常滿意,而且我們?cè)?3D 堆疊方面具有優(yōu)勢(shì),無(wú)論是小芯片還是用于 AI 和高性能服務(wù)器的大型封裝芯片,因此我們擁有全方位的技術(shù)能力。我們將把這些技術(shù)用于我們的產(chǎn)品,并向 Foundry(IFS)客戶展示?!?/p>

他說(shuō)得很有道理,AMD 3D V-Cache 背后的技術(shù)來(lái)源于臺(tái)積電的 SoIC 封裝技術(shù)。此外,這種芯片架構(gòu)多年來(lái)一直是各大芯片制造商所追求的長(zhǎng)期目標(biāo)。

當(dāng)然,現(xiàn)階段 3D 堆疊緩存已經(jīng)可以說(shuō)是 AMD 處理器的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),它可以為其 X3D 處理器提供助力,而也是正因此,這些 成為了世界上最強(qiáng)的游戲處理器之一,同時(shí)也可以為其 X 系列 EPYC 處理器(IT之家注;Genoa-X 已經(jīng)采用了 3D 緩存)帶來(lái)了高附加值。




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